竹田 美和 | 名古屋大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋大学の論文著者

関連著者

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田淵 雅夫

  名大工

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 竹田 美和

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学小型シンクロトロン光研究センター

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名大工

• 竹田 美和

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 渕 真悟

  名古屋大学工学研究科

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 李 祐植

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 中西 彊

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 中村 新男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 藤原 康文

  大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 中村 新男

  名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科

• 山本 将博

  KEK

• 山本 将博

  名古屋大学理学研究科

• 佐々木 昭夫

  京大・工

• 竹田 美和

  京大・工

• 中村 新男

  名大院工

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 中西 彊

  名古屋大学大学院理学研究科

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 森 敬洋

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 中川 靖英

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 金 秀光

  名大工

• 山内 武志

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 金 秀光

  名古屋大学工学研究科

• 谷奥 雅俊

  名古屋大学工学研究科

• 山川 市朗

  名大院工

• 酒井 良介

  名古屋大学大学院理学研究科

• 小川 和男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 久野 尚志

  名古屋大学大学院工学研究科

• 平田 智也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 伊藤 隆

  名古屋大学医学部内科学第一講座

• 野々垣 陽一

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 八田 一郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 川本 武司

  名大院工

• 伊藤 隆

  名大院工

• 山本 尚人

  KEK

• 山本 尚人

  名大工

• 高嶋 圭史

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 山本 尚人

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 山本 尚人

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学

• 越川 孝範

  大阪電通大エレクトロニクス基礎研

• 高嶋 圭史

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 八田 一郎

  名古屋大 大学院

• 高木 俊宜

  京大・工

• 高木 俊宜

  京都大学工学部

• 高木 俊宜

  京大・電子工学

• 藤田 敬次

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 久留 真一

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 今村 雄二郎

  京大・工

• 大熊 繁

  名古屋大学

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 奥見 正治

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 真野 篤志

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 安江 常夫

  大阪電通大

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 坂 貴

  大同工大

• 加藤 俊宏

  大同特殊鋼

• 曽田 一雄

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科

• 曽田 一雄

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 安江 常夫

  大阪電気通信大学

• 安井 健一

  名古屋大学理学研究科

• 前多 悠也

  名古屋大学工学研究科

• 坂 貴

  大同工業大学工学部

• 坂 貫

  大同特殊鋼株式会社技術開発研究所

• 大西 宏幸

  名大院工

• 堀中 博道

  大阪府立大学

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野

• 加藤 鷹紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前田 義紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇木 大輔

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 山口 岳宏

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 田中 雄太

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 陳 博

  名古屋大学大学院工学研究科

• Horinaka Hiromichi

  Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn

• Horinaka Hiromichi

  Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University

• 八田 一郎

  名古屋大学工学研究科

• 山田 寛之

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 徳永 良邦

  名古屋大学

• 井上 優樹

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 一木 悟史

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 安井 健一

  名古屋大学大学院理学研究科

• 佐々木 昭夫

  大阪電気通信大

• 長藤 友建

  名古屋大学 大学院 工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 山内 武志

  JST-CREST

• 大西 宏幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 鷹羽 一輝

  名古屋大学大学院工学研究科

• 加藤 政博

  IMS

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 塩沢 学

  名古屋大学大学院工学研究科

• 保坂 将人

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 保坂 将人

  名大院工

• 加藤 政彦

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 伊藤 祐介

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 曽田 一雄

  名古屋大学大学院工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 浪花 健一

  名古屋大学理学研究科

• 浪花 健一

  名大理

• 小早川 久

  名大工

• 高嶋 圭史

  名大工

• 山本 尚

  名古屋大学大学院工学研究科

• 渡邊 直樹

  名大院工

• 保坂 将人

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 渡邉 信久

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 中野 博彦

  (株)サムコインターナショナル研究所

• 立田 利明

  (株)サムコインターナショナル研究所

• 杉山 陽栄

  名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻

• 小早川 久

  名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻

• 小早川 久

  名古屋大学

• 徳永 良邦

  名古屋大学工学研究科

• 山田 直樹

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 八田 一郎

  名古屋大学工学部

• 伊藤 祐介

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 守屋 博光

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山田 直樹

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 隈元 隆行

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 河村 大輔

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 山本 尚

  米国シカゴ大学

• 長藤 友建

  東海職業能力開発大学校

• 橋本 政幸

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 伊藤 孝寛

  UVSOR

• 山崎 順

  名大エコトピア研

• 八木 伸也

  名大院工

• 八木 伸也

  名古屋大学大字院工学研究科

• 八木 伸也

  名大工

• 伊藤 孝寛

  名大工

• 曽田 一雄

  名大院工

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 中田 博保

  大阪教育大学教養学科

• 伊藤 孝寛

  東北大院理

• 大山 忠司

  大阪大学大学院 理学研究科

• 加藤 政博

  分子科学研究所極端紫外光研究施設

• 田中 信夫

  名古屋大学

• 今井 俊昭

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 藤田 茂夫

  京大・工

• 山根 隆

  名古屋大学大学院工学研究科

• 大山 忠司

  福井工大

• 竹内 恒博

  名古屋大学工学部:名古屋大学エコトピア科学研究所

• 竹内 恒博

  名古屋大学エコトピア科学研究所

• 高橋 功

  関西学院大学理学部

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東大先端研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 榊 裕之

  (社)応用物理学会

• 伊藤 孝寛

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 濱中 泰

  名工大院

• 松井 正顯

  名古屋大学工学部

• 佐川 みすず

  (株)日立製作所中央研究所

• 三宅 信輔

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 加藤 政博

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 桜井 郁也

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 原 玲丞

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 原田 仁平

  理学電機(株)x線研究所

• 加藤 政博

  分子科学研究所

• 土屋 忠厳

  日立電線

• 山根 隆

  名古屋大学工学研究科生物機能工学専攻

• 宮本 佐和子

  東大理

• 増田 塁

  農工大院・工

• 新家 寛正

  東北大・理

• 古谷 優貴

  東北大・多元研

• 田中 秀彦

  東北大院

• 長藤 友建

  名古屋大学工学研究科

• 澤木 宜彦

  名古屋大学工学研究科

• 松井 正顯

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山崎 順

  名古屋大学エコトピア科学研究機構工学研究科

• 王 学論

  京都大学工学部電気工学科

• 藤林 桂

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 高橋 功

  名古屋大学工学部応用物理学科

• 原田 仁平

  電気通信大学自然科学系

• 徳永 良邦

  名古屋大学工学部物理工学科

• 水垣 重生

  京大・工

• 西馬 正博

  京大・工

• 八木 伸也

  名古屋大学工学研究科

• 王 学論

  京大・工

• 野田 進

  京大・工

• 出口 肇

  京大・工

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著作論文

• 日本結晶成長学会第11代会長挨拶
• 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
• 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
• TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
• 青色発光ダイオードを求めて
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 中部シンクロトロン光利用施設(仮称)計画
• XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
• (半導体ヘテロ接合の基礎) ヘテロ界面とバンド不連続
• ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
• 学会参加補助受領者の言葉 : NCCG-40およびICCG-16/ICVGE-14学生参加費支援について(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• NCCG-40とICCG-16(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• セシウムテルライド薄膜フォトカソードの量子効率の基板依存性
• セシウムテルライド薄膜フォトカソードの量子効率の膜厚依存性
• (29) 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み : 「高度総合工学創造実験」の紹介(第9セッション 教育システム(IV))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 球面収差補正高分解能TEMによるInGaAs量子ドットの局所歪状態の観察
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
• X線CTR散乱によるInP/InAsP/InP界面の構造解析
• GaSb上のAlGaSbおよびAlGaAsSbのLPE成長 : エピタキシー(LPE)
• 第19回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム報告
• 大学院における創造性育成教育の実践
• (19)高度総合工学創造実験の試行(第5セッション 教育システム(V))
• Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
• XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
• 格子整合と格子不整合
• 成長条件で決まるミクロな構造とマクロな物性 : 半導体中Er発光の成長条件依存性とその局所構造
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
• 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその厚さ方向の電気的特性
• InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその特性
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
• ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
• X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
• フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• 新編集長より
• 平成16年度文化功労者に赤崎 勇名誉会員が選ばれる(受賞の紹介)
• InP上のInGaAs選択LPE成長 : エピタキシー(LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs(x>0.47)のLPE成長 : エピタキシー
• 応用物理における結晶工学
• 鈴木さんと日本の化合物半導体開発
• 応用物理学会結晶工学分科会(閑話休題)
• 第3回XAFS討論会
• 放射光エッチングと有機金属選択エピタキシャル成長による半導体ナノ構造形成
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般)
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
• OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価
• OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
• 蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
• X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
• III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II
• X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価
• X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価
• 成長中断時の条件変化がInGaP/GaAs界面構造に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III
• 2010年結晶成長国際シンポジウム : 韓国結晶成長学会20周年記念(会議報告)
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成
• ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
• ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
• 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
• 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
• XAFS測定の半導体への応用
• Fe/Cu多層構造中のFe原子周辺局所構造の蛍光EXAFS法による解析
• 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み
• ヘテロエピタキシャル成長とヘテロ構造 : でき上がった構造をナノスケール非破壊で見る
• III-V族化合物半導体ヘテロ界面におけるIII族原子分布のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III
• 実験室系のX線回折装置を使用したX線CTR測定による半導体ヘテロ構造界面評価
• ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 2010年結晶成長国際シンポジウム : 韓国結晶成長学会20周年記念
• 赤崎勇名誉会員のIEEEエジソン・メダルの受賞(学界ニュース)
• 赤崎勇名誉会員が文化勲章を受章(学界ニュース)
• X線によるIII族窒化物半導体および低温緩衝層の構造評価 : バルク成長シンポジウム
• 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用
• バルク単結晶と薄膜単結晶
• 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み
• 有価陶磁器製品に対する人工物メトリクス適用のための研究

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