佐々木 昭夫 | 大阪電気通信大
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
佐々木 昭夫
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
佐々木 昭夫
京大・工
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部電気工学教室
-
石橋 豊次
京大・工
-
猪田 政宏
京都大
-
猪田 政宏
京都大学工学部電気工学教室
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部
-
若原 昭浩
京都大学工学部電子物性工学教室
-
野田 進
京都大学工学研究科
-
佐々木 昭夫
京都大学 工学部 電気工学教室
-
石橋 豊次
京都大学 工学部 電気工学教室
-
浅野 卓
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 光・電子理工学教育研究センター
-
鍋谷 暢一
京都大学工学部
-
猪田 政宏
京都大学 工学部 電気工学教室
-
蔵本 恭介
京都大学工学部電子物性工学教室
-
竹田 美和
名古屋大学
-
竹田 美和
京大・工
-
徳田 崇
京都大学工学部電子物性工学教室
-
浅野 卓
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
石橋 豊次
京都大学工学部電気工学教室
-
猪田 政宏
京大・工
-
浅野 卓
京都大学工学研究科
-
高木 俊宜
京大・工
-
高木 俊宜
京都大学工学部
-
高木 俊宜
京大・電子工学
-
王 学論
京都大学工学部電気工学科
-
中澤 慶久
京都大学工学部電子物性工学教室
-
今村 雄二郎
京大・工
-
山本 恭敬
京都大学工学部電気工学教室
-
高木 俊宜
京大 工
-
大矢 昌輝
京都大学工学部
-
山本 宗継
産業技術総合研究所 光技術研究部門 科学技術振興事業団
-
川畑 勝亮
京大・工
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
坂本 健
京都大学大学院工学部
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
佐々木 昭夫
京都大・工
-
西 和久
自由電子レーザ研
-
西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
山本 宗継
京都大学工学部
-
三露 常男
(株)自由電子レーザー研究所
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
野田 進
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
長谷川 利通
京都大学工学部電気工学教室
-
王 金國
京都大学工学部電気工学教室
-
宮増 多喜夫
電総研
-
冨増 多喜夫
(株)自由電子レーザ研究所
-
王 学論
京大・工
-
野田 進
京大・工
-
出口 肇
京大・工
-
石橋 豊次
京都大
-
渡辺 昭裕
京都大学
-
西塚 幸司
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学
-
坂本 健
京都大学工学部
-
党 小忠
京都大学工学部電子物性工学教室
-
徳田 崇
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
若原 昭浩
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
佐々木 昭夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
浅野 卓
京都大学研究科電子物性工学専攻
-
野田 進
京都大学研究科電子物性工学専攻
-
佐々木 昭夫
大阪電通大
-
鈴木 敏司
(株)自由電子レーザ研究所
-
西 和久
(株)自由電子レーザ研究所
-
大山 秀明
(株)自由電子レーザ研究所
-
川畑 勝亮
京都大学 工学部 電気工学教室
-
渡辺 明裕
京都大学 工学部 電気工学教室
-
石橋 豊次
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
冨増 多喜夫
(株)自由電子レーザー研究所
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
-
山本 宗継
京都大学 工学研究科 電子物性工学専攻科
-
渡辺 明裕
三菱電機応用機器研メモリーデバイス開発部
-
佐々木 昭夫
京都大学大学院工学研究科
-
Ahamadi Vahid
京都大学工学部電子工学科
-
村瀬 裕明
京都大学
-
野田 進
京都大学 工学研究科
-
村瀬 裕明
京都大学 工学部 電気工学教室
-
油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
野田 進
京都大学 大学院
著作論文
- AlGaP/GaP短周期超格子の作製とその発光特性評価
- 電流注入発光によるGaAs基板上InAs初期成長層の評価 : 気相成長III
- 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシ-機構--InAs/GaAsとGe/Si (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- AlP/GaP単分子超格子のOMVPE成長
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性
- TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
- 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
- 7)n型スメクティック液晶の大形表示(テレビジョン電子装置研究会(第91回)画像表示研究会(第50回))
- n型スメクティック液晶の大形表示
- 9)n型スメクティック液晶の電気熱光学効果と静止画大形表示への応用(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 規則,不規則半導体による発光性能の向上
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 無添加量子井戸におけるサブバンド間光によるバンド間光の変調
- GaInN三元混晶の成長と組成不均一性
- プラズマアシスト OMVPE による GaN 成長
- 量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
- 2R19 液晶大形表示における熱書込み速さ
- 2R18 p型,n型ヌメクティック液晶の各種光学効果の実験的検討 : 静止画,動画同時表示への応用
- 7)液晶大形表示における熱書込み速さの検討(-画像変換装置-)((テレビジョン電子装置研究会(第84回)画像表示研究会(第42回))合同)
- 液晶大形表示における熱書込み速さの検討
- 3S08 n型ヌメクティック・コレステリック混合液晶の熱光学効果
- n型スメクティック液晶の電気熱光学效果と静止画大形表示への応用
- 連載講座 最近のセンサ技術(2)センサ技術の基礎 光センサ
- III-V族半導体結晶成長 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- ガン効果ダイオードから自己形成量子ドットヘ
- Diversity & Harmony と Uniformity & Homogeneity
- 光増幅の夢
- 半導体の量子効果
- 量子効果超高速光-光変調デバイス
- 常識からずれた研究
- 光の波長域での3次元フォトニック結晶の新しい実現法
- 半導体量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光非線形デバイス
- サブバンド間遷移短波長化のためのGaAs基板上InGaAs/AlAs量子井戸の研究
- 量子井戸の3準位を用いた光制御光変調 : 選択不純物添加による変調効率の向上
- 6)液晶による光偏向器(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- イオン打ち込みを利用したInGaAs/InAlAs量子井戸構造の混晶化
- 不規則超格子 - その新しい物性 -
- 不規則超格子 : その概念と光発生機構
- 特定研究「混晶エレクトロニクス」