サブバンド間遷移短波長化のためのGaAs基板上InGaAs/AlAs量子井戸の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAs基板上のInGaAs, AlAsを用いた、サブバンド間遷移の短波長化(〜1.55μm)について、理論および実験的な検討を行なう。まず、Inの偏析を考慮した準位計算を行い、遷移波長の1.55μm化には井戸層の幅8ML程度、In組成0.3以上の構造が必要であること、およびIn偏析の抑制が非常に重要であることを示す。次に、成長条件を実験的に検討した後に作製した10周期In_0.2>Ga_0.8>As/AlAs多重量子井戸に対してエレクトロ・リフレクタンス(ER)測定を行い、サブバンド間遷移が2.5μm程度まで短波長化されていることを示す。最後に測定結果と計算結果とを詳細に比較することで、In偏析の影響に加えて、電子のE-k分散関係の非放物線性の影響を小さくすることが、短波長化に重要であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
-
浅野 卓
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 光・電子理工学教育研究センター
-
佐々木 昭夫
京大・工
-
野田 進
京都大学工学研究科
-
浅野 卓
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部電気工学教室
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
佐々木 昭夫
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
浅野 卓
京都大学工学研究科
関連論文
- 2次元フォトニック結晶レーザの出射ビームの集光特性(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ZnSeの減圧OMVPEによる成長と特性評価 : VI/II原料供給比の影響
- ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
- 3W24 液晶を用いた赤外・可視像変換に関する基礎特性
- フォトニック結晶レーザー : 究極のナノレーザーと大面積コヒーレントレーザー
- C-3-82 2次元フォトニック結晶光ナノ共振器のQ値の動的制御(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- フォトニック結晶ナノ共振器のQ値の増大と動的制御
- フォトニックバンドギャップを利用した発光制御技術
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- マルチステップ・ヘテロ構造を用いた光ナノ共振器の共振モード特性
- マルチステップ・ヘテロ構造を用いた光ナノ共振器の共振モード特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- Fabrication of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Point-Defect Cavity Employing Local Three-Dimensional Structures (Selected Topics in Applied Physics(5)Photonic Crystals and Related Photonic Nanostructures)
- Highly Effective In-Plane Channel-Drop Filters in Two-Dimensional Heterostructure Photonic-Crystal Slab (Selected Topics in Applied Physics(5)Photonic Crystals and Related Photonic Nanostructures)
- ヘテロ界面反射を利用した面内型2Dフォトニック結晶波長分合波デバイス(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶高Q共振器の設計と作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 2次元フォトニック結晶レーザの出射ビームの集光特性
- 29p-YW-4 ヘテロエピタキシァル成長とその機構 : InAs/GaAsのTEM像、歪緩和、臨界膜厚
- フォトニック結晶高Q共振器の設計と作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- フォトニック結晶高Q共振器の設計と作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 2次元フォトニック結晶光ナノ共振器の開発
- 開発事例 フォトニック結晶 (特集 高速・大容量化に対応する光学材料)
- AlGaP/GaP短周期超格子の作製とその発光特性評価
- 電流注入発光によるGaAs基板上InAs初期成長層の評価 : 気相成長III
- 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシ-機構--InAs/GaAsとGe/Si (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 2次元スラブフォトニック結晶導波路型レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- GaSb上のAlGaSbおよびAlGaAsSbのLPE成長 : エピタキシー(LPE)
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si(0
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御による光の捕獲・解放
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御による光の捕獲・解放(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御による光の捕獲・解放(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- フォトニック結晶共振器のQ値の動的制御による光の捕獲・解放(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
- 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその厚さ方向の電気的特性
- InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその特性
- 3B20 液晶の電気熱光学効果とディスプレイへの応用
- 18-10 液晶の電気熱光学効果によるディスプレイ
- 18-9 液晶の電気熱光学効果
- 1A05 BBBAおよびその混合液晶の電気熱光学効果
- 13A05 液晶大形表示の赤外レーザ書き込み速さの改善
- InP上のInGaAs選択LPE成長 : エピタキシー(LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs(x>0.47)のLPE成長 : エピタキシー
- ヘテロ界面反射を利用した面内型2Dフォトニック結晶波長分合波デバイス(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- ヘテロ界面反射を利用した面内型2Dフォトニック結晶波長分合波デバイス(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- ヘテロ界面反射を利用した面内型2Dフォトニック結晶波長分合波デバイス(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- サブバンド間遷移超高速光変調デバイスのサブピコ秒動作
- GaInN三元混晶の成長と組成不均一性
- プラズマアシスト OMVPE による GaN 成長
- 量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
- 2R19 液晶大形表示における熱書込み速さ
- 2R18 p型,n型ヌメクティック液晶の各種光学効果の実験的検討 : 静止画,動画同時表示への応用
- 3S08 n型ヌメクティック・コレステリック混合液晶の熱光学効果
- マルチステップ・ヘテロ構造を用いた光ナノ共振器の共振モード特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- マルチステップ・ヘテロ構造を用いた光ナノ共振器の共振モード特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 2A08 常温反強誘電性液晶の電界印加に伴う組織変化
- 2B422 垂直配向反強誘電性液晶の応答特性
- 3B14 色素を溶解した半導体電極液晶セルの光起電力
- 3F320 反強誘電性液晶の電気光学履歴特性
- 3A07 ディッピング配向膜による強誘電性液晶の配向
- 4)ディッピングSiO_2膜による強誘電性液晶の配向(画像表示研究会)
- ディッピングSiO_2膜による強誘電性液晶の配向
- 2連F06 強誘電性液晶を含む混合系の熱光学特性
- 24p-B-5 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシー
- 連載講座 最近のセンサ技術(2)センサ技術の基礎 光センサ
- III-V族半導体結晶成長 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- ガン効果ダイオードから自己形成量子ドットヘ
- Diversity & Harmony と Uniformity & Homogeneity
- 光増幅の夢
- 半導体の量子効果
- 量子効果超高速光-光変調デバイス
- 常識からずれた研究
- 光の波長域での3次元フォトニック結晶の新しい実現法
- 半導体量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光非線形デバイス
- サブバンド間遷移短波長化のためのGaAs基板上InGaAs/AlAs量子井戸の研究
- 量子井戸の3準位を用いた光制御光変調 : 選択不純物添加による変調効率の向上
- InAs自己形成量子ドット
- 混晶半導体のミクロの世界
- Sadao Adachi, Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds, John Wiley & Sons, New York and Chichester, 1992, xviii + 318p, 15.5×23.5cm
- 不規則超格子による発光 (新光源技術)
- 第34回電子材料会議(EMC)報告
- 第50回デバイス研究会議(DRC)報告
- 「人工構造半導体」と「人工構築半導体」考--半導体材料の将来動向を占う (近未来エレクトロニクス--その実現へのキ-テクノロジ-)
- 最近の液晶表示技術 (最新液晶テクノロジ-)
- 液晶センサ
- 光増幅
- 光増幅器への展望 (エレクトロニクス30周年記念特集)
- InGaAs/AlAs量子井戸におけるサブバンド間エネルギー緩和時間の直接測定 : 短波長化サブバンド間遷移を用いた超高速光-光変調に向けて
- InGaAs/AlAs量子井戸におけるサブバンド間エネルギー緩和時間の直接測定 : 短波長化サブバンド間遷移を用いた超高速光-光変調に向けて
- 1A02 液晶による光偏向
- SC-1-8 面内ヘテロ構造によるフォトニック結晶デバイス
- フォトニック結晶による光子制御
- サブバンド遷移を用いた超高速光スイッチ
- サブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
- サブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
- 液晶とそのセンサ