フォトニック結晶高Q共振器の設計と作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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Q値(実験値)100,000,モード体積(計算値)0.71(λ_0/n)^3 (λ_0は空気中での波長,nは誘電体の屈折率)をもつ高Q光ナノ共振器の実現に成功した。その概要について報告する。我々が以前に見出した共振器設計指針,つまり,共振モードの包絡関数制御がQ値増大に有効であるという考え方に基づき,2次元フォトニック結晶スラブ中の点欠陥両端部に位置する6つの空気孔位置を微調整した共振器を提案した。設計した共振器は空気孔位置調整の無い共振器に比べ,モード体積がほとんど不変であるにもかかわらず, Q値が50倍も向上することが,3次元FDTD法による計算結果から分かった。さらに,点欠陥からの放射スペクトルと導波路の透過スペクトルを観測することで,実験的にもQ値が20倍向上することが分かった。今回得られた光ナノ共振器のQ/Vは,既存のどのナノ共振器よりも大きい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
浅野 卓
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 光・電子理工学教育研究センター
-
野田 進
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
宋 奉植
京都大学大学院工学研究科
-
赤羽 良啓
京都大学大学院工学研究科
-
赤羽 良啓
京都大学大学院工学研究科:住友電気工業株式会社半導体研究所
-
野田 進
京都大学大学院 工学研究科
-
浅野 卓
京都大学大学院工学研究科
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