サブバンド間遷移超高速光変調デバイスのサブピコ秒動作
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概要
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半導体量子井戸におけるサブバンド間遷移は、緩和時間がピコ秒程度と非常に速いという特長を持ち、超高速光光変調デバイスへの応用が期待されている。今回我々はプローブ光に白色光パルスを用いたフェムト秒ポンプ・プローブ測定法によりAlGaAs/GaAs量子井戸における光-光変調の動作特性を詳しく調べた。その結果、伝導帯第2-価電子帯第2サブバンド間に共鳴する光波長域において、緩和時間が0.3〜0.4ps程度と非常に短い変調を観測した。これにより、新たに提唱している第2サブバンドの電子密度変化を利用する変調方式を用いれば、AlGaAs/GaAs量子井戸においてもテラビット/秒領域の光-光変調が可能であることを見い出した。
- 2000-10-10
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