GaInN三元混晶の成長と組成不均一性
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概要
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プラズマ励起有機金属気相エピタキシー法によりGa_<1-x>In_xN三元混晶の成長を行った。本成長法により全固相組成領域の組成制御が可能であり、成長温度500℃での成長層より、In組成0.25まで室温PLが得られた。また、成長層中の組成について詳細に調べたところ、高温成長領域で組成の分裂が起こることを見いだした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
佐々木 昭夫
京大・工
-
徳田 崇
京都大学工学部電子物性工学教室
-
若原 昭浩
京都大学工学部電子物性工学教室
-
野田 進
京都大学工学研究科
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部電気工学教室
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
党 小忠
京都大学工学部電子物性工学教室
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部
-
佐々木 昭夫
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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