InAs/GaAs量子ドットの高次量子準位とテラヘルツ自然放出の観察
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概要
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InAs/GaAs量子ドットは, そのサブバンド間遷移を利用することでTHz域の小型光デバイスの実現が可能であると期待される.しかしながら我々の知る限り発振はもちろんのこと, 量子ドットのサブバンド間自然放出光の観測例はなく, その特性は明らかにされていない.そこで, まず, 理論的, 実験的解析から, InAs/GaAs量子ドットにおける量子準位の同定を行い, 6つの量子準位の存在を確認した.また, モンテカルロ法を用いた理論解析からサブバンド間自然放出の可能性を示し, pin構造のダイオードにおいてサブバンド間自然放出光と思われるTHz域での発光を確認した.さらに, THz域発振デバイスへの電子の供給方法としてカスケード的な電子注入法が, 有効であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-05
著者
-
野田 進
京都大学工学研究科
-
古川 雄三
富山大学工学部
-
石井 基範
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
古川 雄三
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
竹屋 智樹
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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