Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着

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概要

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• Si(111)面のIn誘起表面相上へのSbの吸着過程を200〜400℃の温度範囲で研究した。1ML以下のSb吸着によってSi(111)-In(4×1)上では(2×2)、In(√<3>×√<3>)上では(√<7>×√<7>)構造が観測された。In(√<31>×√<31>)上へのSb吸着では不規則な構造となった。AES分析から、(2×2)と(√<7>×√<7>)構造は、InとSbの両原子から構成され、(2×2)構造は2原子層からなるInSb(2×2)、(√<7>×√<7>)構造は1原子層からなるInSb(√<7>×√<7>)相であることが分かった。Sb吸着の最終段階(1ML)ではいずれの場合もSb(2×1)とSb(√<3>×√<3>)構造の共存相が形成され、この時Inは凝集して小さなアイランドとなっている。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-10-19

著者

• 龍山 智栄

  富山大 工

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電気電子システム工学科

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 龍山 智栄

  富山大学工学部

• 古川 雄三

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学理工学研究科

• GRUZNEV Dimitry

  富山大学工学部

• RAO Bommisetty

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電子情報工学科

• Gruznev D

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部

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