表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。最近、1層目の成長温度、蒸着レート、蒸着量といった成長条件を最適化することで、室温の電子移動度が約38,000cm^2/Vsという非常に高品質なInSb薄膜(膜厚1μm)を作製可能となった。この移動度は膜厚1μmの試料における平均であるため、試料表面付近では移動度がさらに高い可能性がある。そのため、移動度の膜厚依存性を調査した。その結果、試料表面付近では61,000cm^2/Vsという非常に高い電子移動度を持っていることが分かった。また、この高い電子移動度をもったInSb薄膜を用い、Si基板上のInSb MOSFET実現性を調べることを目的として、Al_2O_3/InSbMOSダイオードを作製し、その特性を調べた。
- 2011-07-22
著者
-
前澤 宏一
富山大学 工学部電気電子システム工学科
-
岩杉 達矢
富山大学工学部
-
角田 梓
富山大学工学部
-
中谷 公彦
富山大学工学部
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
前沢 宏一
NTT LSI研究所
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
-
前澤 宏一
早大理工
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
森 雅之
富山大学理工学教育部:研究部
-
中山 幸二
富山大学大学院
-
中山 幸二
富山大学工学部
-
森雅 之
富山大学大学院理工学研究部
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