p^+n接合を用いた共鳴トンネルトランジスタの電流変調機構とその応用
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概要
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p^+n接合を利用した共鳴トンネルトランジスタの電流変調機構について実験的に調べた。空乏層が共鳴トンネル構造まで伸びずに、エミッタ層のみを変調する場合には、新たに空乏層端と共鳴トンネル構造の間に広がる電流経路が発生するために、大きな相互コンダクタンスを得ることができることが分かった。一方、この場合P/V比については、これらの広がり電流経路による直列抵抗成分のために小さくなることが分かった。更に、この広がり電流成分の効果を大きくする構造を用いることにより、I-V特性を負性微分抵抗特性から線形抵抗特性まで可変な素子を得ることができることを示した。この様な特性を有する素子は、初期視覚過程のニューラルネットワークにおいて、シミュレーテッド・アニーリングの機能を有する抵抗フューズ素子として有望である。
- 1995-04-20
著者
-
山本 眞史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山本 眞史
Ntt Lsi研究所
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
明吉 智幸
NTTフォトニクス研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
-
明吉 智幸
NTT LSI研究所
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