プラズマCVD SiN膜キャップアニールの2次元電子ガスへの影響

概要

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埋め込み構造の作製のために必要なプラズマCVD SiN絶縁膜が、AlGaAs, GaAs2次元電子ガスの移動度とキャリア密度に与える影響について実験的に検討した。その結果、SiN膜堆積時の熱処理によって移動度、キャリア密度共に大きく減少するが、その後、SiN膜を除去し再び熱処理を行なうことにより、移動度、キャリア密度それぞれ元の値に回復する事が示された。これらの実験結果をより詳細に調べるため、より簡単な構造であるSiドープGaAsにおいて同様のプロセスを行ない、C-V測定によりキャリアプロファイルを測定した。この結果、GaAs中の欠陥密度の変化には、相反する2つの過程が存在する事がわかった。第1に、380℃以下の熱処理によるプラズマダメージの消失であり、第2に300℃以上のSiN膜堆積時の熱処理による新たな欠陥の発生である。SiドープGaAs構造におけるこの新たな欠陥は、AlGaAs/GaAs系と同様に、SiN膜を除去し再熱処理を行なう事により、消失可能な事が明らかとなった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-18