Reset-set flip-flop based on a novel approach to modulating resonant-tunneling current with FETs
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概要
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Resonant-tunneling diodes(RTDs)have recently attracted special attention owing to their unique negative differential resistance(NDR)characteristics based on quantum transport. However,it is difficult to design a circuit with only two terminal devices such as RTDs.When we integrate RTDs and transistors on the same epitaxially grown wafer,we can expect great improvement in circuit design flexibility and performance. In this presentation,a novel approach to modulating resonant-tunneling current is demonstrated based on the monolithic integration of RTDs and FETs.As an example for circuit applications, the first reset-set(R-S)Flip-flop based on resonant-tunneling is demonstrated.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
Chen Kevin
Ntt
-
Chen K
Ntt Lsi Lab. Kanagawa Jpn
-
Chen Kevin
Ntt Lsi Laboratories
-
明吉 信行
NTT LSI Laboratories
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
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