InP-Based Ultrafast Resonant Tunneling High Electron Mobility Transistors(RTHEMTs) : Novel I-V Characteristics and Circuit Applications
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概要
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Resonant-tunneling transistors(RTTs) are of current interest because of their high functionality and ultrafast operating speed. Many RTTs have been proposed and demonstrated. Here, we report novel current-voltage characteristics and circuit applications of an InP-based resonant-tunneling high electron mobility transistor(RTHEMT)[1, 2].
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
山本 眞史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山本 眞史
Ntt Lsi研究所
-
Chen Kevin
Ntt
-
Chen K
Ntt Lsi Lab. Kanagawa Jpn
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
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