InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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我々はこれまでに、Si(111)基板上へInSb単分子層を介してInSb薄膜を2段階成長させると、Siに対してInSbの結晶が30゜回転し、結晶性や電気的特性を改善できること事を確認している。しかし現在は、Si(100)基板が主流となっており、その上に良質なInSbを成長させる事が出来れば効果は大きい。そこで、Si(100)基板表面上にV溝型(111)面を作製する事で、Si(100)基板上でSi(111)基板と同様の成果を得ることが出来るのではないかと考え、作製したV溝型(111)面上への高品質なInSb薄膜の成長を試みた。
- 2010-06-10
著者
-
前澤 宏一
富山大学 工学部電気電子システム工学科
-
岩杉 達矢
富山大学工学部
-
カマセ サラ
富山大学
-
角田 梓
富山大学工学部
-
中谷 公彦
富山大学工学部
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
前沢 宏一
NTT LSI研究所
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
-
前澤 宏一
早大理工
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
森 雅之
富山大学理工学教育部:研究部
-
森雅 之
富山大学大学院理工学研究部
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