13a-DE-10 AlGaAs/AlAs量子井戸におけるXバンド2次元電子のサブバンド構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-09-20

著者

• 山田 省二

  Ntt基礎研究所

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• 前沢 宏一

  LSI研究所

関連論文

• 共鳴トンネルダイオードを生かす新しい集積化技術
• InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 27p-B-4 三端子ポイントコンタクト細線
• 27a-B-4 量子化熱起超電力振動への素子構造、および格子温度の効果
• 一次元バリスティック系におけるホール効果 : 横方向抵抗の量子振動
• 2a-D-5 一様ドープGa_In_As/Al_In_As MQWの2次元電子サブバンド物性
• 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
• 30p-X-8 AlAs量子井戸中Xバンド電子の永続光電流と量子ホール効果
• C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 13a-DE-10 AlGaAs/AlAs量子井戸におけるXバンド2次元電子のサブバンド構造
• 1a-N-11 極薄AlAs層におけるXz-Xxyバンド交差
• 27p-M-6 変調ドープAlGaAs/AlAsヘテロ界面におけるX-band 2次元電子ガスの有効質量
• 30p-Z-13 Si2重原子層ドープGaAs中2次元電子のサブバンド構造
• C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
• C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 次世代エネルギーを再考する
• 29p-LD-4 擬一次元伝導特性をもつ(InAs)_1(GaAs)_1/InP 2次元電子ガス(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク