表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。今回は、1層目の成長条件に着目し、成長温度、成長レート、蒸着量を最適化し、室温で約36,200cm^2/Vsという高い電子移動度を持ったInSb薄膜(膜厚1μm)を成長できたので報告する。
- 2011-05-12
著者
-
前澤 宏一
富山大学 工学部電気電子システム工学科
-
中谷 公彦
富山大学工学部
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
前沢 宏一
NTT LSI研究所
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
森 雅之
富山大学大学院理工学研究部
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
-
前澤 宏一
早大理工
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
森 雅之
富山大学理工学教育部:研究部
-
中山 幸二
富山大学大学院
-
安井 雄一郎
富山大学大学院
-
中谷 公彦
富山大学大学院
-
森雅 之
富山大学大学院理工学研究部
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