表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)

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概要

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著者

• 前澤 宏一

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学研究部(工学)

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育学部

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