溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
溶融Gaバンプを用いたFSAの熱的信頼性を評価した.Gaバンプは配置後の十分な熱処理によってデバイスブロックのAu電極と合金化する.WDSによる組成分析によりこの合金の融点は451℃以上と推定され,十分な信頼性があることが示唆された.更に,配置されたRTDデバイスの高温保持試験を行い,高い安定性をもつことを実証した.
- 2014-03-01
著者
-
森 雅之
富山大学理工学教育部
-
中野 純
富山大学理工学教育部
-
柴田 知明
富山大学理工学教育部
-
森 雅之
富山大学理工学教育学部
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育学部
-
森田 弘樹
富山大学理工学教育部
-
坂本 宙
富山大学理工学教育部
関連論文
- C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(研究員報告)
- C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-22 Fluidic Self-Assembly (FSA)のためのInP HEMTブロックの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-8 MOBILEを用いたNRZ-DFFとそのFMDSMへの応用(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CT-1-1 CMOSを越える革新デバイスの現状と展望(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
- C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 高性能デジタル超音波センサのためのInP HEMT/MEMSマイクロフォン集積化プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 周波数ΔΣ変調方式を用いたデジタルマイクロフォンのノイズシェーピング実証
- CI-2-7 共鳴トンネルデバイスを用いたテラヘルツ帯信号処理の可能性(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)
- 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性
- 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)