森 雅之 | 富山大学理工学教育学部

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概要

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関連著者

• 森 雅之

  富山大学理工学教育学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育学部

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学研究部(工学)

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部:研究部

• 森雅 之

  富山大学大学院理工学研究部

• 前澤 宏一

  富山大学 工学部電気電子システム工学科

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  Ntt-lsi研究所

• 中野 純

  富山大学理工学教育部

• 前澤 宏一

  NTT LSI Laboratories

• 前澤 宏一

  早大理工

• 柴田 知明

  富山大学理工学教育部

• 水野 雄太

  富山大学理工学教育学部

• 高岡 和央

  富山大学理工学教育学部

• 藤野 舜也

  富山大学理工学教育学部

• 笠原 康司

  富山大学理工学教育部

• 大勝 崇外

  富山大学理工学教育部

• 中野 純

  富山大学理工学教育部:研究部

• 早野 一起

  富山大学理工学教育部

• 笠原 康司

  富山大学大学院理工学研究部

• 呉 東坡

  富山大学理工学教育部

• 潘 杰

  富山大学理工学教育部

• 高岡 和央

  富山大学理工学研究部

• 森田 弘樹

  富山大学理工学教育部

• 坂本 宙

  富山大学理工学教育部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電気電子システム工学科

• 田村 悠

  富山大学理工学研究科

• 柴田 真吾

  富山大学大学院理工学研究部

• 赤松 和弘

  日鉱金属株式会社

• 柴田 真吾

  富山大学理工学教育部

• 松田 憲治

  富山大学理工学教育部

• 藤城 翔

  富山大学理工学研究部

• 坂本 智哉

  富山大学理工学研究部

• 新海 靖人

  富山大学理工学教育部

• 赤松 和弘

  (株)日鉱金属

• 大江 隆

  富山大学理工学教育部

• 村田 和範

  富山大学理工学研究科

• アハド ノルスルヤティ-ビンティ

  富山大学理工学研究科

• 丹保 豊和

  富山大学理工学研究科

• 新海 靖人

  富山大学理工学教育部:富山大学理工学研究部

• 大勝 崇外

  富山大学理工学教育部:研究部

• 柴田 知明

  富山大学理工学教育部:研究部

• 潘 杰

  富山大学大学院理工学研究部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学研究部

• 藤野 舜也

  富山大学理工学研究部

• 〓 〓

  富山大学理工学研究部

• 呉 東岐

  富山大学理工学研究部

• 水牧 勝太朗

  富山大学理工学教育部

• 前澤 宏一

  富山大

• 王 〓

  富山大学理工学教育部

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著作論文

• C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-22 Fluidic Self-Assembly (FSA)のためのInP HEMTブロックの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 高性能デジタル超音波センサのためのInP HEMT/MEMSマイクロフォン集積化プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 周波数ΔΣ変調方式を用いたデジタルマイクロフォンのノイズシェーピング実証
• CI-2-7 共鳴トンネルデバイスを用いたテラヘルツ帯信号処理の可能性(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)
• 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性
• 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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