共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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我々は共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化方法について検討した。共鳴トンネルダイオードの電圧振幅は限られているが、インピーダンス変換により、出力増大が得られることをシミュレーションにより明らかにした。この回路をInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いて、InP基板の上で作製し、高出力化できることを実験的に示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
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