超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた.このプロセスは, 中空構造を作製するためのフォトレジストのオゾンアッシングに基づいている. このプロセスは損傷がなくHEMTとの集積化に適している.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
関連論文
- 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-22 Fluidic Self-Assembly (FSA)のためのInP HEMTブロックの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
- C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 高性能デジタル超音波センサのためのInP HEMT/MEMSマイクロフォン集積化プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス (電子デバイス)
- 周波数ΔΣ変調方式を用いたデジタルマイクロフォンのノイズシェーピング実証
- CI-2-7 共鳴トンネルデバイスを用いたテラヘルツ帯信号処理の可能性(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)
- 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性
- 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)