2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Si(111)面上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を超高真空チャンバー内で成長温度200-420℃の範囲で行った。成長したInSb薄膜はX線回折(XRD)、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて評価した。またHall測定によって電気的特性も評価した。1段階成長において220-240℃で結晶性、表面性の良いInSb薄膜が成長した。また、その成長したInSb薄膜は2種類のドメインで形成されていた。1眉目を240℃で成長させた後、2眉目を420で成長させる2段階成長によってInSb薄膜は結晶構造が改善した。このInSb薄膜の移動度は約14000[cm^2/Vs](250K)となった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-06-08

著者

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電気電子システム工学科

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学工学部

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部

• 田村 悠

  富山大学理工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学理工学研究部(工学)

• 村田 和範

  富山大学理工学研究科

• アハド ノルスルヤティ-ビンティ

  富山大学理工学研究科

• 丹保 豊和

  富山大学理工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 森 雅之

  富山大学理工学教育学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育学部

関連論文

• 5個のフォトダイオードを用いて太陽をサーチする光センサ
• 共鳴トンネルダイオードを生かす新しい集積化技術
• 太陽追尾のための2軸光センサ
• 天空の太陽をサーチする簡便な方法
• InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
• C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 傾斜方位を測定する光センサ
• 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• パーソナルコンピュータによるESCA測定の自動化
• 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(研究員報告)
• GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
• 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
• 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
• 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
• C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-22 Fluidic Self-Assembly (FSA)のためのInP HEMTブロックの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-12 共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般講演)
• Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
• Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
• Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
• BSCO薄膜のSi(001)面へのヘテロエピタキシャル成長
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-8 MOBILEを用いたNRZ-DFFとそのFMDSMへの応用(C-10.電子デバイス,一般講演)
• CT-1-6 共鳴トンネルデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• CT-1-1 CMOSを越える革新デバイスの現状と展望(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
• InP基板上共鳴トンネル素子を用いた超高速集積回路,AWAD2006)
• InP基板上共鳴トンネル素子を用いた超高速集積回路
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (シリコン材料・デバイス)
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究
• 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
• 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
• 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
• 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
• 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
• C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_Ge_合金のMBE成長
• C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
• C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 3p GC-3 真空蒸着によるアントラセン島集団の結晶性
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (電子部品・材料)
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (電子デバイス)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製
• (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
• XPSによるGaS,GaSe,InSeの化学シフトの研究
• 5a-TC-4 III-VI族層状半導体のXPS(III)
• III-VI族層状半導体のXPS(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
• 14a-S-10 III-VI族層状半導体のXPS(II)
• 27p-K-8 III-VI族層状半導体のXPS
• 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
• アントラセン蒸着膜の光学的特性と電場発光(1)
• 傾斜方位を測定する光センサ
• 酸化膜上の単結晶Si薄膜の成長に関する研究(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 次世代エネルギーを再考する
• Si(111)-√7×3-In 表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
• Si(111)基板上での30ﾟ回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果
• C-10-2 高性能デジタル超音波センサのためのInP HEMT/MEMSマイクロフォン集積化プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 周波数ΔΣ変調方式を用いたデジタルマイクロフォンのノイズシェーピング実証
• CI-2-7 共鳴トンネルデバイスを用いたテラヘルツ帯信号処理の可能性(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)
• 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性
• 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク