Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の研究において、ナノワイヤーやFin構造など基礎的な構造は選択成長法、触媒を利用したVLS技術、化学気相蒸着法などで形成された。我々はSi基板上にIn/Sb誘起再構成構造を介してInSb薄膜の作製を注目した。本研究室では以前の研究において、Si(111)基板表面に形成したSb-(2×1)とSb-(√<3>×√<3>)再構成構造表面上へのIn吸着を考察し、1.0ML-In蒸着時に基板温度は450℃を超えると、両方の構造表面のInの吸着係数が0になっていることを明らかにした。これを踏まえ、Sb-(√<3>×√<3>)再構成構造を利用してSi(111)基板上にInSbの選択的な成長を研究する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
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