丹保 豊和 | 富山大学工学部電気電子システム工学科
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概要
関連著者
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丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
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龍山 智栄
富山大 工
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龍山 智栄
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富山大工
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富山大・工・電子
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森 雅之
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富山大学工学部電子情報工学科
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丹保 豊和
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富山大工
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上羽 弘
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富山大
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柴田 幹
富山大学工学部電気電子システム工学科
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富山大学工学部
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龍山 智栄
富山大・工
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古川 雄三
富山大学工学部
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鄭 樹啓
富山大学工学部
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GRUZNEV Dimitry
富山大学工学部
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松田 晶詳
富山大学工学部
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Gruznev D
富山大学工学部
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上羽 弘
富山大学工学部
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丹保 豊和
富山大学 工学部
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柴田 幹
富山大学 工学部
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前澤 宏一
富山大学工学部
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斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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斉藤 光史
富山大学vbl
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Rahman M
富山大学工学部電気電子システム工学科
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荒木 秀教
富山大工
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上羽 弘
富山大・工・電子
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大村 一剛
富山大学工学部
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宮本 祐次
富山大学工学部
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坂下 周平
富山大学工学部
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Rahman M.
富山大学工学部電気電子システム工学科
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Bhuiyan M.
富山大学工学部
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是松 次郎
富山大・工・電子
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前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
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星野 孝志
富山大・工
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上羽 弘
富山大学工学部電子工学科
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安村 毅
富山大学工学部
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斉藤 光史
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中村 巌
国際電気
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富山大学工学部電子工学専攻
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アドバンテスト
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富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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富山大学理工学研究科
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上羽 弘
富山大・工
著作論文
- 5個のフォトダイオードを用いて太陽をサーチする光センサ
- 太陽追尾のための2軸光センサ
- 天空の太陽をサーチする簡便な方法
- 傾斜方位を測定する光センサ
- 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
- パーソナルコンピュータによるESCA測定の自動化
- GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
- 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
- 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
- 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
- Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
- Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
- Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
- BSCO薄膜のSi(001)面へのヘテロエピタキシャル成長
- Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
- Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究
- 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
- 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
- 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
- 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
- 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
- Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_Ge_合金のMBE成長
- 3p GC-3 真空蒸着によるアントラセン島集団の結晶性
- MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製
- (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
- XPSによるGaS,GaSe,InSeの化学シフトの研究
- 5a-TC-4 III-VI族層状半導体のXPS(III)
- III-VI族層状半導体のXPS(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
- 14a-S-10 III-VI族層状半導体のXPS(II)
- 27p-K-8 III-VI族層状半導体のXPS
- 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
- アントラセン蒸着膜の光学的特性と電場発光(1)
- 傾斜方位を測定する光センサ