上羽 弘 | 富山大
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概要
関連著者
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上羽 弘
富山大学工学部電子情報工学科
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上羽 弘
富山大
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上羽 弘
富山大工
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上羽 弘
富山大学工学部
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市村 昭二
富山大工
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市村 昭二
富山大 工
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市村 昭二
富山大・工・電子
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市村 昭二
富山大学工学部
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上羽 弘
富山大学工学部電子工学科
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龍山 智栄
富山大 工
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龍山 智栄
富山大学工学部
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上羽 弘
富大工
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龍山 智栄
富山大工
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丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
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丹保 豊和
富山大学理工学研究科
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丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
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三井 隆志
富山大工
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三井 隆志
富山大学工学部
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丹保 豊和
富山大工
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庄司 克幸
富山大・工
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川合 真紀
理化学研究所
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米田 忠弘
東北大多元研
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米田 忠弘
理化学研究所
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米田 忠弘
理化学研究所表面化学研究室
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市村 昭二
富大工
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上羽 弘
富大 工
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上羽 弘
富山大・工・電子
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平井 修
富山大・工
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森口 輝雄
富大工
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丹保 豊和
富山大学工学部
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上羽 弘
東京工業大学応用セラミック研究所
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上羽 弘
富山大・工
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森川 良忠
阪大産研
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馬越 健次
兵庫県大院物質理
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Dino Wilson
阪大院理
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笠井 秀明
阪大院工
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森川 良忠
阪大院工
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
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八田 振一郎
京大院理
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奥山 弘
京大院理
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有賀 哲也
京大院理
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佐藤 清雄
富山大工
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宗像 利明
阪大院理
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熊谷 崇
京大院理
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浜田 幾太郎
東北大
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
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笠井 秀明
阪大工
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坂上 護
阪大
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有賀 哲也
京大院理:jst-crest
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奥山 弘
京都大学大学院理学研究科
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八田 振一郎
京大院理:jst-crest
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Dino Wilson
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理
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Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
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Dino W
大阪大 大学院工学研究科
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西川 実
富山大学工学部電子工学専攻
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森州 良忠
阪大産研
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馬越 健次
姫工大理
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岩黒 弘明
富山大・工・電子
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笠井 秀明
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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龍山 智栄
富山大・工
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中村 巌
国際電気
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市村 昭二
富大 工
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小西 慎一郎
富山大学工学部電子工学専攻
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平井 修
富山大工
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相沢 伸幸
富山大工
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Frederiksen Thomas
富山大
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岩黒 弘明
富山大工電子
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上羽 弘
富山大工電子
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市村 昭二
富山大工電子
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Tikhodeev Sergei
General Physical Institute (moscow)
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和泉 貴之
富山大学工学部電子情報工学科
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藤田 健一
アドバンテスト
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荒木 秀教
富山大工
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西川 修二
富山大工
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吉星 太一
富山大工
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加藤 宗弘
富大工
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平井 修
富大工電子
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上羽 弘
富大工電子
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市村 昭二
富大工電子
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神島 修
富大工電子
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舟根 鉄雄
富大工電子
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辰馬 賢一郎
富山大工
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山崎 三朗
富山大工
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星野 孝志
富山大工
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是松 次郎
富山大工
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円保 豊和
富山大・工・電子
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坂上 護
阪大工
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宗像 利明
阪大理
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福井 朋納
富山大工・電子
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Frederiksen Thomas
富山大:dipc
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松井 和浩
富大工
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川合 真紀
理研:東大新領域
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Kasai Hideaki
Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.
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是松 次郎
富山大・工・電子
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赤倉 真由美
富大工
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龍山 智栄
富大工
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浅井 誠
富山大学工学部電子工学科
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浅井 誠
富山大工
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林谷 浩次
富山大工
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石丸 信雄
富山大工
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松原 勇
富大計算機センター
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老松 敏雄
富山大工
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森口 輝雄
富山大工
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庄司 克幸
富山大工
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兵藤 覧仁
富山大工
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庄司 克幸
富山大学工学部電子工学科
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新開 宏
富山大工
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新宅 英隆
富山大工
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市川 昭二
富山大工
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星野 孝志
富山大・工
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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龍山 智栄
富山大学工学部電子工学科
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浜田 幾太郎
科技団:阪大基礎工
著作論文
- 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
- 1a-CK-5 NMP-TCNQ の帯磁率の温度依存性
- 26aWS-10 固体表面からの二光子光電子放出における正孔散乱とファノ干渉の効果(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 非弾性トンネル電流に誘起された金属表面吸着分子の運動(最近の研究から)
- 非弾性トンネル電流に誘起された金属表面吸着分子の運動
- 31a GR-3 半無限1次元系の電子状態密度 : 不純物のある場合
- 19aTF-5 振動走査トンネル分光の理論
- GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
- 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
- 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
- 表面吸着分子の増大赤外吸収
- 5a-NS-4 吸着分子の赤外吸収
- 5a-NS-3 吸着分子のラマン散乱-電子・正孔対励起の役割-
- 吸着状態密度に及ぼす不純物効果
- 2a GC-7 Thionine-TCNQ錯塩のESR
- 分子性結晶混晶の表面励起子
- フレンケル励起子の表面自縛状態
- 半無限混晶における局在電子状態の理論
- 固体表面の素励起--表面ポ-ラロン,表面励起子について
- 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
- 5p-AE-3 混晶の表面励起子
- 31a-CK-6 クロロフィル三重項状態に対するクエンチャーの効果
- 表面非線形分光の可能性を探る
- 表面多光子分光法の可能性を探る(第58回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 走査トンネル顕微鏡を用いた単一吸着分子の非弾性トンネル分光理論
- 29aZE-4 非弾性トンネル分光におけるスペクトル形状
- 27aTB-10 光支援トンネリングの理論
- 3p-C4-12 金属表面吸着子の逆光電子分光
- 27p-D-12 色素分子の螢光・ラマン散乱における下地金属依存
- Si(100)-2×1面上におけるGe薄膜の初期成長過程
- 3p-S-9 吸着分子の光電子スペクトルと振動状態
- Si (100) -2×1 面上におけるGe薄膜の初期成長過程
- 5a-E-9 Si(100)-2×1面上でのGe薄膜の初期成長過程
- 2p-E-6 脱着過程におけるエネルギー散逸
- 2a-TC-8 金属表面に吸着した色素のけい光とラマン散乱
- Si(111)7×7および(100)2×1清浄表面におけるGeの初期成長過程と超構造(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 13a-Y-4 半導体表面に吸着した分子のラマン散乱
- 27p-Y-8 LEED/AESによるGe on Siの観察
- 表面・界面研究におけるラマン分光-2-理論 (赤外・ラマン・振動-1-基礎と最近の進歩)
- Si (111) 7×7面におけるGe薄膜の成長様式と5×5超構造
- 1a-CK-4 Carbazole-TCNQ の低温電気伝導度