市村 昭二 | 富山大・工・電子
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概要
関連著者
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市村 昭二
富山大工
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市村 昭二
富山大・工・電子
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市村 昭二
富山大 工
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市村 昭二
富山大学工学部
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上羽 弘
富山大学工学部電子情報工学科
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龍山 智栄
富山大 工
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上羽 弘
富山大工
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上羽 弘
富山大
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丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
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龍山 智栄
富山大・工
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上羽 弘
富山大・工・電子
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丹保 豊和
富山大学理工学研究科
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丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
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龍山 智栄
富山大学工学部
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平井 修
富山大・工
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丹保 豊和
富山大・工・電子
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上羽 弘
富山大学工学部電子工学科
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上羽 弘
富山大・工
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龍山 智栄
富山大工
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岡本 篤
富山大工
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市村 昭二
富大工
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平井 修
富大工電子
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神島 修
富大工電子
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舟根 鉄雄
富大工電子
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福井 朋納
富山大工・電子
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大井 正史
富山大工・電子
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是松 次郎
富山大・工・電子
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岩黒 弘明
富山大・工・電子
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藤田 佳隆
富山大工
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上野 修
富山大学工学部
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丹保 豊和
富山大工
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上羽 弘
富大工
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市村 昭二
富大工電子
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辰馬 賢一郎
富山大工
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円保 豊和
富山大・工・電子
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飯田 昌之
富山大・工・電子
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和田 順一
大隈鉄工
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市村 昭二
富山大工・電子
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星野 孝志
富山大・工
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佐藤 清雄
富山大工
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日産自動車株式会社総合研究所第1技術研究所
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谷本 智
富山大・工・電子
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谷本 智
日産自動車(株)総合研究所 電子情報研究所
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林 雅夫
富山大.工
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龍山 智栄
富山大.工
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市村 昭二
富山大.工
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角崎 雅博
Department of Electronics, Faculty of Engineering, Toyama University
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青木 邦友
Department of Electronics, Faculty of Engineering, Toyama University
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円保 豊和
富山大工
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市村 昭二
富大 工
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富山大工
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相沢 伸幸
富山大工
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瀧山 智栄
富山大.工
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上野 修
富山大・工・電子
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柿木 渉
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城宝 進
富山大・工・電子
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岩黒 弘明
富山大工電子
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富大・工・電子
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福井 朋納
富山大・工
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シャープ中研
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中井 富雄
富山大・工
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青木 邦友
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Toyama University
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瀧山 智栄
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林 欽也
富山大・工・電子
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石田 誠
富山大・工
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丹保 豊和
富山大学工学部
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神島 修
富大工
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舟根 鉄雄
富大工
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上羽 弘
富山大学工学部
著作論文
- 1p-K-19 V_2O_3の高温転移近傍でのラマン散乱(III)
- GaSe層間化合物の光吸収とXPSスペクトル(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
- 3a-NGH-6 V_2O_3高温転移近傍におけるラマン散乱による観察
- 2a-NL-11 GaSeインターカレーション化合物の光吸収とXPSスペクトル
- GaSe層間化合物の電気的,光学的性質
- 酸化バナジウムの金属-絶縁体転移
- 2p GE-8 空間電荷制限電流 (SCLC) によるGaSeのtrap-centerの研究
- (0001)面サファイア基板上のGaNの気相エピタキシャル
- 1a-CK-5 NMP-TCNQ の帯磁率の温度依存性
- 30a-E-6 インターカレーションGaSeの光学的電気的特性
- 29p-P-1 SnO_2多結晶薄膜のEnergy BandのXPSによる考察
- 31a GR-3 半無限1次元系の電子状態密度 : 不純物のある場合
- 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
- 表面吸着分子の増大赤外吸収
- 5a-NS-4 吸着分子の赤外吸収
- 5a-NS-3 吸着分子のラマン散乱-電子・正孔対励起の役割-
- 吸着状態密度に及ぼす不純物効果
- 2a GC-7 Thionine-TCNQ錯塩のESR
- 分子性結晶混晶の表面励起子
- フレンケル励起子の表面自縛状態
- 半無限混晶における局在電子状態の理論
- 固体表面の素励起--表面ポ-ラロン,表面励起子について
- 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
- 5p-AE-3 混晶の表面励起子
- 31a-CK-6 クロロフィル三重項状態に対するクエンチャーの効果
- 共役系直鎖分子の非局在化励起
- 2a-NM-4 Si(100)-2×1構造のLEED観察とモデルパラメータの考察
- 28a-P-10 Si(111)-7×7表面構造のRipple Modelによる考察
- 2a GC-5 TMPD・TCNQ錯塩のESR温度依存性
- 2a GC-4 TMPD・TCNQ錯体の電気的特性 (II)
- 5a-AE-3 TMPO・TCNQ錯塩の合成と電気的特性
- 29p-D-8 金属(TCNQ)錯塩のメモリー・スイッチング現象
- 31p-CK-4 アントラセン蒸着膜形成過程と Annealing 効果
- 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
- 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
- 29a-Q-10 Metal-SiPc-Metal型セルの整流特性と光起電力
- 29a-Q-8 Metal-光合成色素-Metal型セルの整流作用と光起電力効果
- 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
- 5p-K-2 Si-Ge化合物半導体のピエゾ抵抗特性
- 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
- 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
- 6a-KF-3 アントラセン蒸着膜の電気的および光学的特性(その1)
- 5p-KF-14 Si,Ge配位フタロシアニンの電気的特性(その1)
- 25a-K-3 有機電荷移動錯体の光電特性I
- 25a-G-2 GaSe-ZnSeヘテロ接合の光電特性II
- 3p GC-3 真空蒸着によるアントラセン島集団の結晶性
- 2a GC-6 Thionine-TCNQ錯塩の伝導度の温度依存性
- 5a-AE-2 NMP・ハロゲン錯体の電気的特性
- 4a-KP-8 血液循環系モデルの数理的解折