谷本 智 | 日産自動車株式会社総合研究所第1技術研究所
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概要
関連著者
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谷本 智
日産自動車株式会社総合研究所第1技術研究所
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谷本 智
富山大・工・電子
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谷本 智
日産自動車(株)総合研究所 電子情報研究所
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村上 善則
技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構
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図子 祐輔
技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構
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谷本 智
技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構
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谷本 智
日産自動車(株)総合研究所 社会・フロンティア研究所
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佐藤 伸二
技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構
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松井 康平
技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構
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龍山 智栄
富山大 工
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市村 昭二
富山大工
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市村 昭二
富山大 工
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谷本 智
超低損失電力素子研究体
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桐谷 範彦
超低損失電力素子研究体
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星 正勝
超低損失電力素子研究体
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大串 秀世
超低損失電力素子研究体
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体
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星 正勝
超低損失電力素子研究体:財団法人新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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龍山 智栄
富山大・工
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市村 昭二
富山大学工学部
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市村 昭二
富山大・工・電子
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花村 昭宏
日産自動車(株)総合研究所 研究実験試作部
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鈴木 達広
日産自動車(株)総合研究所 社会・フロンティア研究所
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鈴木 直
日産自動車(株)総合研究所 社会・フロンティア研究所
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桐谷 範彦
超低損失電力素子研究体:財団法人新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所
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大串 秀世
超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
著作論文
- 4H-SiC半導体装置高信頼SiO_2/SiN/SiO_2(ONO)ゲート絶縁膜(半導体材料・デバイス)
- SiCデバイスのオーミックコンタクト形成技術(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiCパワーデバイスのためのオーミックコンタクト形成技術
- 2p GE-8 空間電荷制限電流 (SCLC) によるGaSeのtrap-centerの研究
- 高温パワーデバイス用高耐熱電極技術の開発
- 将来技術 外部連携による高密度All SiC空冷インバータの研究開発 (電動化技術)
- ノーマリオフSiC-JFET用高速スイッチングゲート駆動回路
- ノーマリオフSiC-JFET用高速スイッチングゲート駆動回路
- ノーマリオフSiC-JFET用高速スイッチングゲート駆動回路