SiCデバイスのオーミックコンタクト形成技術(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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パワーMOSFETやMESFETのような実デバイスに適用可能なSiC低抵抗オーミックコンタクトの構造と形成プロセスを紹介する.n型4H-SiC基板上で<10>^<-7>Ω<cm>^2台,p型4H-SiC基板上で<10>^<-6>Ω<cm>^2台の極めて低いコンタクト抵抗を得られることを示す.パワーMOSFETで要求の高い近接pn領域一材料同時形成コンタクトを実現できることも併せて紹介をする.これら各コンタクトは500℃に300時間以上放置しても劣化しないことを明らかにする.本研究で開発した各種コンタクトをDMOS型構造をもつ縦型パワーMOSFETに移植し,低抵抗コンタクトが実デバイスレベルで得られることを実証する.このFETがノーマリオフの典型的なトランジスタ動作をすることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
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谷本 智
日産自動車株式会社総合研究所第1技術研究所
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谷本 智
超低損失電力素子研究体
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桐谷 範彦
超低損失電力素子研究体
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星 正勝
超低損失電力素子研究体
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大串 秀世
超低損失電力素子研究体
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体
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星 正勝
超低損失電力素子研究体:財団法人新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所
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谷本 智
富山大・工・電子
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谷本 智
日産自動車(株)総合研究所 電子情報研究所
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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桐谷 範彦
超低損失電力素子研究体:財団法人新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所
-
大串 秀世
超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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