4H-SiC半導体装置高信頼SiO_2/SiN/SiO_2(ONO)ゲート絶縁膜(半導体材料・デバイス)
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概要
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ゲート熱酸化膜の著しい信頼性不足がSicパワーMOSデバイスの実現を阻んでいる.この問題を抜本的に解決するために,市販の4H-SiC基板上で, SiO_2/SiN/SiO_2(ONO)構造のゲート絶縁膜を検討した.ONO膜の最適化が実行された.製作した多結晶SiゲートMONOSキャパシタ(等価酸化膜厚値40nm)は,QBD (Charge-to-breakdown)寿命においてSi基板上の熱酸化膜を超え,最大400C/cm^2以上の値を示した.高電界加速TDDB試験からゲート電界強度3MV/cmでの寿命を見積もったところ,200万年を超えた.4H-SiC基板に製作したONOゲート絶縁膜DMOSは安定したノーマリオフ型トランジスタ動作をした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-10-01
著者
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