森川 良忠 | 大阪大学大学院工学研究科

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概要

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• 大阪大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森州 良忠

  阪大産研

• 森川 良忠

  阪大産研

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 柳澤 将

  阪大院工

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 柳澤 将

  阪大産研

• 濱田 幾太郎

  阪大産研

• 岡崎 一行

  阪大工

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所

• 奥山 弘

  京大院理

• 浜田 幾太郎

  東北大

• 有賀 哲也

  京大院理:jst-crest

• 八田 振一郎

  京大院理:jst-crest

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 八田 振一郎

  京大院理

• 熊谷 崇

  京大院理

• 浜田 幾太郎

  科技団:阪大基礎工

• 青木 優

  東大院総合文化

• 増田 茂

  東大院総合文化

• 有賀 哲也

  京大院理

• 増田 茂

  東大教養

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科

• 森川 良忠

  JRCAT

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 青木 優

  東大院総合

• 杉野 修

  東大物性研

• 大谷 実

  東大物性研:産総研計算科学

• 海津 政久

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 増田 茂

  東大院総合

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所

• 森川 良忠

  大阪大学産業科学研究所

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 海津 政久

  京大院理

• 森川 良忠

  産業技術総合研 計算科学研究部門

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 森川 良忠

  JST-CREST

• 稲垣 耕司

  阪大院工:jst-crest

• 森川 良忠

  阪大工

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 吉田 博

  阪大基礎工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 田中 孝治

  産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 大谷 実

  産総研

• 濱田 幾太郎

  大阪大学産業科学研究所

• 浜田 幾太郎

  阪大産研

• 稲葉 雄一

  奈良先端大物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大物質創成

• 杉野 修

  東京大学物性研究所

• Lee Kyuho

  Rutgers Univ.

• 豊田 健治

  阪大産研

• 中野 洋輔

  阪大産研

• 服部 賢

  奈良先端大

• 名兒耶 彰洋

  阪大産研

• 岡崎 一行

  JST-CREST

• 香山 正憲

  JST-CREST

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門

• 大谷 実

  東大物性研

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所

• Katayama-yoshida Hiroshi

  Department Of Physics Tohoku University

• 吉田 博

  阪大産研:科技団

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 杉野 修

  東大 物性研

• 豊田 健治

  阪大産研:パナソニック(株)

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所

• 田中 孝治

  産業技術総合研究所

• 佐々木 恵太

  東大院総合文化

• 十河 真生

  東大院総合文化

• 鈴木 良知

  東京大学大学院総合文化研究科

• 草部 浩一

  阪大基礎工

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 魚住 昭文

  阪大産研

• 柳瀬 章

  阪大産研

• 広瀬 喜久治

  阪大院工

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 柳瀬 章

  阪大・産研

• 池庄司 民夫

  産総研計算科学

• 花岡 大輔

  阪大基礎工

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 安武 潔

  阪大院工

• 杉野 修

  日電マイクロ研

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 岡本 穏治

  NEC基礎研

• 森村 英幸

  阪大産研

• 濱田 幾太郎

  JST-CREST

• 竹内 康祐

  阪大産研

• 竹内 康祐

  阪大産研:jst-crest

• 青木 優

  東京大学大学院総合文化研究科

• 坂本 雄一

  東大院総合文化

• 鎌田 豊弘

  東大院総合

• 小井出 祐一

  東大院総合

• 増田 茂

  東京大学大学院総合文化研究科

• 岸 令子

  理化学研究所

• 川合 真紀

  理化学研究所

• 鈴木 良知

  東大院総合

• 川合 真紀

  理研

• 森 勇介

  阪大・院工

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 岸 令子

  理研

• 佐々木 孝友

  大阪大学

• 佐々木 孝友

  阪大工

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 香山 正憲

  産総研関西

• 大谷 実

  産総研計算科学

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタスエネルギー

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院 工学研究科

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構

• 市川 聡

  産業技術総合研究所

• 市川 聡

  産総研関西セ

• 市川 聡

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 森川 良忠

  産総研

• 川村 史朗

  阪大院工

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 川原 実

  大阪大学大学院工学研究科

• 細谷 直樹

  阪大基礎工

• 佐々木 岳彦

  東大院新領域

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 佐々木 岳彦

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 岩澤 康裕

  東大院理

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 八田 振一郎

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 熊谷 崇

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 八田 振一郎

  JST-CREST

• 有賀 哲也

  JST-CREST

• 吉田 榑

  阪大基礎工

• Jonsson H

  Univ. Washington Washington

• 柳澤 将

  大阪大学産業科学研究所

• 吉村 政志

  大阪大学大学院 工学研究科

• 廣田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 大谷 実

  大阪大学産業科学研究所

• 岡本 穏治

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• Lee Kyuho

  Rensselaer Polytechnic Institute

• 高橋 一徹

  東大院理

• 實宝 秀幸

  阪大産研

• 熊谷 崇

  京都大学大学院情報学研究科

• 前田 泰

  産総研ユビキタス

• 森川 良恵

  JST-CREST

• 岡崎 一行

  CRESR JST

• 岡崎 一行

  産経研ユビキタス

• 田中 真悟

  産経研ユビキタス

• 香山 正憲

  産経研ユビキタス

• 岡崎 一行

  産総研関西セ

• 田中 真悟

  産総研関西セ

• 前田 泰

  産業技術総合研究所

• 實宝 秀幸

  富士通研

• Hammer B

  Univ. Osnabrueck Osnabrueck Deu

• 上羽 弘

  富山大学工学部電子情報工学科

• 上羽 弘

  富山大工

• 佐々木 岳彦

  東京大学大学院理学系研究科

• Frederiksen Thomas

  富山大

• 上羽 弘

  富山大

• 前田 泰

  産総研関西

• 柳澤 将

  阪大工

• 佐々木 岳彦

  東大新領域

• 西郷 登洋

  阪大院理

• 岡本 穏治

  JST-CREST

• 池庄司 民夫

  JST-CREST

• Lee Kyuho

  阪大産研

• Frederiksen Thomas

  富山大:dipc

• 佐々木 孝友

  回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科

• Mortensen J.j

  Camp-dtu

• Mortensen J.j.

  Camp-dtu

• Jonsson H

  Univ.washington

• Hammer B

  CAMP-DTU

• Norskov J.K

  CAMP-DTU

• Norskov J.k.

  Camp-dtu

• 柳澤 将

  大阪大学大学院工学研究科

• 平松 雅規

  阪大産研

• 森川 良忠

  京大工-JRCAT

• 秋田 知樹

  産業技術総合研

• Hammer B

  Univ. Illinois

• 柳澤 将

  琉球大理

• 井関 信太郎

  阪大院工

• 大上 まり

  阪大工

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所

• 吉田 博

  阪大院基礎工

• 平松 雅規

  阪大産研:crest-jst

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 八田 振一郎

  京都大学大学院理学研究科

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタス

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス:JST-CREST

• 奥山 弘

  京都大学大学院埋学研究科

• 上羽 弘

  富山大学工学部

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著作論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• メタステーブル原子電子分光による Ni ( 100 ), Ni ( 111 ) 上 CO 分子の局所電子分布
• 27aYQ-12 遷移金属上に化学吸着した分子の分極・反分極現象
• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
• 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aPS-25 内殻励起炭素クラスター合成の第一原理シミュレーション(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aGL-11 Alq_3/金属界面相互作用における非局所電子相関の役割に関する第一原理的研究(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Pt電極界面での水素吸着状態 : 電場, 溶媒, 被覆率の影響
• 第一原理シミュレーションから見た電極界面と電荷移動反応 : 燃料電池・水電解の水素極を対象として
• 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aZE-6 第一原理計算による TiO_2(110) 上のギ酸の分解反応過程の研究
• 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aXJ-1 白金表面における水素の第一原理的研究 : 被覆率、電場および溶媒効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pXK-6 Ptクラスターへの水素吸着特性の担持効果(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-11 グラフェン上のPtクラスターの原子・電子構造(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-136 貴金属/無機ヘテロ界面の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30pYE-3 Au/TiO_2(110)における初期吸着構造(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 20aPS-42 Au(111)/TiO_2(110) 界面の原子構造と電子状態
• 28pPSB-25 Au/TiO_2(110)-1x2 の構造と電子状態
• 17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
• 26aWS-7 TiO_2(110)表面の欠陥構造に関するGW近似による研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWX-12 ファンデルワールス補正を入れた密度汎関数法によるナノチューブ/金属電極界面の構造と電子状態(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYH-1 金表面上チオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-F-7 第一原理電子状態計算による遷移金属表面でのCOの解離吸着過程の研究
• 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pYB-3 遷移金属上の水の構造に関する第一原理的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aWB-2 Si(001)表面上でのアセチレン分子の吸着状態
• 1p-YK-5 擬ポテンシャル法と第一原理分子動力学計算
• 31a-K-8 第一原理電子状態計算による遷移金属表面での COおよびN_2吸着の研究
• 28p-S-2 第一原理分子動力学法による固体表面およびその吸着系の研究
• 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究
• 27pPSA-52 カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTG-7 TiO_2(110)表面の酸素欠陥による構造歪み・電子構造に関する第一原理的研究(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-30 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端構造の解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 水/Pt電極界面における電気化学反応シミュレーション

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