大谷 実 | 東大物性研:産総研計算科学

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概要

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関連著者

• 大谷 実

  東大物性研:産総研計算科学

• 大谷 実

  産総研

• 杉野 修

  東大物性研

• 大谷 実

  東大物性研

• 鈴木 直

  阪大基礎工

• 岡田 晋

  筑波大計科セ:crest

• 杉野 修

  東京大学物性研究所

• 鈴木 直

  大阪大学 基礎工学部

• 杉野 修

  東大 物性研

• 岡田 晋

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 大谷 実

  阪大基礎工

• 森川 良忠

  阪大院工

• 大谷 実

  産業技術総合研究所

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 杉野 修

  日電マイクロ研

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 大谷 実

  産総研計算科学

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 鈴木 直

  関大システム理工

• 草部 浩一

  阪大基礎工

• 岡田 晋

  筑波大 物質工

• 南川 義久

  阪大基礎工

• 大谷 実

  産総研ナノシステム:jst-crest

• 濱田 幾太郎

  東北大学wpi-aimr

• 押山 淳

  東大院工

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 岩佐 義宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 森川 良忠

  阪大産研

• 常行 真司

  東大院理

• 濱田 幾太郎

  阪大産研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 下谷 秀和

  東北大金研

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 岩佐 義宏

  東大院工

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 池庄司 民夫

  産総研計算科学

• 濱田 幾太郎

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 赤木 和人

  東大院理

• 森州 良忠

  阪大産研

• 赤木 和人

  東北大

• 岡田 晋

  筑波大院数物

• 岩佐 義宏

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 岡田 晋

  筑波大学物理学系・計算物理学研究センター

• 押山 淳

  筑波大学物理学系・計算物理学研究センター

• 押山 淳

  筑波大学物理学系

• 下谷 秀和

  東大院工

• 大谷 実

  筑波大学物理学系

• 有川 晃弘

  筑波大学数理

• 有川 晃弘

  筑波大計算セ

• 岡本 穏治

  NEC基礎研

• 尹 聖在

  東北大院理

• 岡田 晋

  筑波大学物理学系:計算物理学研究センター

• 小田 竜樹

  金沢大理

• 小田 竜樹

  金沢大自然

• 塚田 捷

  東北大WPI-AIMR

• 森川 良忠

  大阪大学産業科学研究所

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 浜田 幾太郎

  東北大

• 滝本 佳成

  東大物性研

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  大阪大学産業科学研究所

• 塚田 捷

  東北大学WPI-AIMR

• 大谷 実

  大阪大学産業科学研究所

• 岡本 穏治

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• 鈴木 直

  阪大院基礎工

• 浜田 幾太郎

  阪大基礎工

• 森川 良忠

  JST-CREST

• 常行 真司

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東大物性研:(現)鳥取大工応数

• 中島 紳伍

  東大物性研

• 友成 六美

  日本電気・中央研究所

• 杉野 修

  東大・物性研

• 大谷 実

  東京大学物性研究所

• 濱田 幾太郎

  JST-CREST

• 岡本 穏治

  JST-CREST

• 池庄司 民夫

  JST-CREST

• 滝本 佳成

  東大物性研:産総研計算科学

• 鈴木 直

  大阪大学基礎工学部

• Cuong Nguyen

  産総研:crest

• 伊藤 知昭

  阪大院基礎工

• 大谷 実

  阪大院基礎工

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所

• 大谷 実

  大阪大学基礎工学部物程物理

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著作論文

• 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pEL-10 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善点 : 動的感受率の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aYE-2 ゲートによるグラファイトへの等方的キャリア注入(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pTA-3 電圧印加による2層グラフェンの再金属化(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 第一原理シミュレーションから見た電極界面と電荷移動反応 : 燃料電池・水電解の水素極を対象として
• 31a-G-8 高圧下におけるリンの構造相転移
• 26aRA-7 h-BNの電子構造制御の探索 : NFE状態へのキャリア注入(26aRA 炭素系物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 西谷滋人, 青木正人, 武藤俊介編, 『21世紀の格子欠陥研究に残された課題』, 吉岡書店,京都市, 2003, viii+198p., 25.5×18cm, 本体3,000円, [学部・大学院向,専門書]
• 有効遮蔽媒質法を用いた電気化学反応の第一原理分子動力学シミュレーション(最近の研究から)
• 電極反応の第一原理分子動力学シミュレーション
• 18pRJ-7 電場中において電荷注入されたナノチューブの電子状態(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aPS-36 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-9 Pt電極上の吸着水素 : 被覆率と振動数の電位依存性(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pVA-4 有効遮蔽媒質法による大規模第一原理分子動力学計算(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pVA-4 有効遮蔽媒質法による大規模第一原理分子動力学計算(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pVA-4 有効遮蔽媒質法による大規模第一原理分子動力学計算(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pRJ-8 電極表面の第一原理シミュレーション(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYC-8 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYF-11 ゲートバイアスのかかったナノチューブにおける量子閉じ込めStark効果の可能性(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aXH-1 電圧を印加した固体表面に対する電子状態計算手法の開発(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 30aTE-9 ゲートバイアスのかかったナノチューブの第一原理計算(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pXJ-3 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
• 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
• 固体酸素における圧力誘起複合相転移
• 28pTA-9 Energetics and electronic structures of graphene adsorbed on (0001) surfaces of SiO_2
• 27pTB-2 電界による酸化亜鉛への高濃度キヤリア蓄積状態の第一原理計算(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTB-2 電界による酸化亜鉛への高濃度キャリア蓄積状態の第一原理計算(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pGT-10 ファン・デル・ワールス密度汎関数の吸着系への応用(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pQ-6 高圧下におけるバナジウムの電子状態の第一原理的計算
• 25aTF-4 高圧下におけるバナジウムの格子振動及び電子格子相互作用の第一原理計算
• 23pQ-1 第一原理計算を用いた高圧下におけるセレンの超伝導の考察
• 25aWB-8 固液界面反応に対する第一原理計算手法の開発(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-13 フェルミレベル一定の第一原理計算 : 電圧印加表面への応用(表面界面電子物性, 領域 9)
• 24pYN-2 高圧下のセレンにおける構造相転移の考察 : 格子振動からのアプローチ
• 26p-PSA-54 高圧下における固体酸素の磁性の考察II
• 1p-PSA-1 低温、高圧下における固体酸素の磁性の考察
• 5p-D-13 FPLMTO法を用いた固体酸素の電子状態と磁性

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