下谷 秀和 | 東北大金研
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概要
関連著者
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下谷 秀和
東北大金研
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岩佐 義宏
東大 工
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岩佐 義宏
東北大金研
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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岩佐 義宏
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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竹延 大志
東北大金研
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蓬田 陽平
東北大金研
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岩佐 義宏
東大工
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蓬田 陽平
東北大理
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竹延 大志
早大先進
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岩佐 義宏
東大院工
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袁 洪涛
東大院工
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川崎 雅司
理研cmrg:東北大金研
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上野 和紀
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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下谷 秀和
東北大理
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小林 典男
東北大金研
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野島 勉
東北大金研
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中村 慎太郎
東北大金研
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大友 明
東工大院工:東北大金研
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大友 明
東北大金研
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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竹延 大志
早大先進:jstさきがけ
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川崎 雅司
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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多田 大樹
東北大金研
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上野 和紀
東北大WPI材料機構
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袁 洪涛
東大工:jst-crest
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川崎 雅司
東北大金研
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竹延 大志
東北大学金属材料研究所:jstさきがけ
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竹延 大志
早大先進理工
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浅沼 春彦
東北大金研
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下谷 秀和
東大工
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袁 洪涛
東大工
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下谷 秀和
東北大院理
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Yuan H.
東大院工
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谷垣 勝己
東北大院理
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柳 和宏
首都大理工
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塚崎 敦
東北大金研
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守屋 理恵子
首都大理
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柳 和宏
CREST-JST
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小野 新平
電中研
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柳 和宏
産総研
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下谷 秀和
東大院工
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小野 新平
電力中央研究所:ジュネーブ大
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守屋 理恵子
首都大理工
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川崎 雅司
東北大学原子分子材料科学高等研究機構 金属材料研究所
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塚崎 敦
東京大学大学院工学系研究科
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津田 諭
東北大理
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上野 和紀
東大院総合:JSTさきがけ
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岡田 晋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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木村 剛
阪大基礎工
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若林 裕助
阪大基礎工
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小林 正起
東大院工
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小林 慎一郎
東北大通研
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山雄 健史
京都工繊大
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堀田 収
京都工繊大
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三谷 洋興
北陸先端大
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岩佐 義宏
東北大学金研
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三谷 忠興
北陸先端大
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山田 良則
東北大金研
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福村 知昭
東北大金研:科技機構さきがけ
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川崎 雅司
東北大WPI材料機構
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西川 尚男
東北大金研
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下谷 秀和
東北大学金属材料研究所
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小林 慎一郎
東北大金研
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小林 典男
東北大学金属材料研究所
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岡田 晋
筑波大計科セ:crest
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下田 達也
北陸先端大
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森 聡
東北大金研
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三谷 忠興
北陸先端大材料
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着本 享
東北大学WPI研究機構
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下田 達也
セイコーエプソン(株)テクノロジープラットフォーム研究所
-
下田 達也
セイコーエプソン(株)
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大谷 実
東大物性研:産総研計算科学
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大谷 実
産総研
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岡田 晋
筑波大院数物
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谷垣 勝己
東北大学大学院理学研究科
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叶 劍挺
東大院工
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有川 晃弘
筑波大学数理
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上野 和紀
東北大金研
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山本 涼介
阪大基礎工
-
有川 晃弘
筑波大計算セ
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Yuan Hongtao
東北大金研
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川崎 雅司
CREST-JST
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袁 洪涛
東北大金研
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Aliah H.
東北大金研
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鈴木 宏貴
東北大金研
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川崎 雅司
東大院工
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Wen Di
早大先進
-
大谷 実
産総研ナノシステム:jst-crest
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尹 聖在
東北大院理
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上野 和紀
東大院総合
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幾原 雄一
東大院工:東北大wpi:jfcc
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福村 知昭
科技機構さきがけ
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谷 林
東北大WPI
-
着本 享
東北大WPI
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柳 和之
首都大理工
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坂田 修身
物材機構
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森崎 はづき
阪大基礎工
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蒲 江
早大先進
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澤 彰仁
産総研
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木村 憲彰
東北大院理
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青木 晴善
東北大院理
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笠原 裕
東北大学金研
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池田 進
東北大 理GCOE
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十倉 好紀
産総研ナノ機能合成プロ
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佐々木 孝彦
東北大金研
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竹谷 純一
阪大理
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熊代 良太郎
東北大院理
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良知 健
東北大院理
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福岡 宏
広大院工
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山中 昭司
広大院工
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竹延 大志
CREST JST
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岩佐 義宏
CREST JST
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野内 亮
東北大WPI
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村田 恵三
阪市大院理
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吉野 治一
阪市大院理
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片浦 弘道
産総研
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齋藤 一弥
筑波大院数物
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田邉 洋一
東北大WPI
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斎藤 一弥
阪大院理
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田邉 洋一
東北大工
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宮崎 裕司
大阪大
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宮崎 裕司
阪大院理
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齋藤 一弥
筑波大化学
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小林 賢介
阪市大院理
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下谷 秀和
CREST-JST
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宮崎 裕司
大阪大学大学院理学研究科
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塚越 一仁
理研
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青柳 克信
理研
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藤森 直治
産総研・ダイヤモンド研究センター
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笠原 裕一
東北大学金研
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梅沢 仁
産総研
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Ye J.
東北大金研
-
Yuan H.
東北大金研
-
Craciun M.
東大院工
-
Russo S.
東大院工
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Morpurgo A.
Department of Physics, Univ. of Geneva
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西島 崇裕
東北大金研
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長瀬 勝美
ERATO-NSEP
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平山 祥郎
ERATO-NSEP
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井上 誠之
東北大学金属材料研究所
-
Ye J.
東北大学金属材料研究所
-
Yuan H.
東北大学金属材料研究所
-
平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
東工大総合理工学:crest(jst)
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田邁 洋一
東北大工
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片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
-
小林 清男
東北大金研
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塚越 一仁
産総研:crest(jst)
-
塚越 一仁
物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研
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野内 亮
京大院工
-
齊藤 一弥
阪大理
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Sato Ko-ichi
Plasma Science Center Nagoya University
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藤森 直治
産総研
-
Saito K
Research Center For Molecular Thermodynamics Graduate School Of Science Osaka University
-
藤田 敏之
東北大 金属材料研
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鹿田 真一
産総研・ダイヤセンター
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Morpurgo A.
Department Of Physics Univ. Of Geneva
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笠原 裕一
東大院工
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菅原 孝宜
岡山大理
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下谷 秀和
東北大・金研
-
菅原 孝宜
東北大・金研
-
岩佐 義宏
東北大・金研
-
Kitazawa Hideaki
The Institute Of Physical And Chemical Research
-
青柳 克彦
理研フロンティア
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井上 拓門
東北大理
-
川崎 雅司
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
菅原 孝宜
東北大金研:理研
-
藤田 敏之
東北大金研
-
木内 脩治
東北大金研
-
村田 惠三
大阪市立大学大学院理学研究科物質科学コース
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Saito G
Department Of Chemistry Faculty Of Science Tokyo Metropolitan University
-
小林 正起
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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Saito K
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
-
鹿田 真一
産総研
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藤森 直治
住友電気工業 伊丹研
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浅沼 春彦
東北大学金属材料研究所
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下谷 秀和
東京大学大学院工学系研究科付属量子相エレクトロニクス研究センター 物理工学専攻 科学技術振興機構crest
-
十倉 好紀
産総研-CERC
-
平山 祥郎
東北大理:jst-erato
-
柳和 宏
首都大理工
-
衰 洪涛
東大工
-
野内 亮
東北大院理
-
衰 洪涛
東大工:jst-crest
-
池田 淳一
東北大院理
-
井上 拓門
東北大院理
-
池田 進
東北大WPI
-
蓬田 陽平
東北大理:早大先進
-
平山 祥郎
ERATO-JST
-
SAITO Kazuya
Frontier Materials Laboratory, Toyota Technological Institute
著作論文
- 22pGS-5 グラフェン電気二重層トランジスタ(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-4 電気二重層トランジスタによるInPのキャリア数制御(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYK-6 Ba_Si_の物性に与えるラットリングの影響(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電気二重層トランジスタを用いた電界効果超伝導 (特集 超電導材料)
- device 電界効果により転移温度15Kの超伝導を誘起--新材料の探索技術としての期待
- 26aYD-7 層状物質を用いた電気二重層トランジスタの作製と伝導特性(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aZP-4 自己集合化単分子膜による有機薄膜電界効果トランジスターのキャリア制御(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-4 自己集合化単分子膜による有機薄膜電界効果トランジスターのキャリア制御(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 24pRL-1 電場によって誘起される超伝導状態とその場磁化測定(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-3 電気化学的手法によるYBa_2Cu_3O_y膜のキャリア制御 : 電子系・ホール系の特性比較(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-3 電気化学的手法によるYBa_2Cu_3O_y膜のキャリア制御 : 電子系・ホール系の特性比較(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pQC-4 電解質を用いたYBa_2Cu_3O_y膜のキャリア制御(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-4 電解質を用いたYBa_2Cu_3O_y膜のキャリア制御(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 電気化学的手法によるYBa_2Cu_3O_y膜の室温キャリア制御
- 22pWF-8 電気2重層ゲートによるSrTIO_3の超伝導(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pWQ-1 電気二重層トランジスタによるNd_2CuO_4への可逆的キャリアドーピング(23pWQ 高温超伝導(キャリア注入,多層系,ストライプ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pRJ-5 電気二重層ゲートFETによりZnO単結晶表面に高濃度誘起されたキャリアのホール効果測定(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pTB-2 電気二重層トランジスタによる水素終端ダイヤモンドの絶縁体-金属転移(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pYG-1 Differential Capacitance of the Electric Double Layer in Ionic Liquids : Influence of Potential, Ion Size, and Temperature
- 29pYG-1 Differential Capacitance of the Electric Double Layer in Ionic Liquids : Influence of Potential, Ion Size, and Temperature
- 電解質ゲート有機FETによる低電圧・高濃度キャリア蓄積(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 22pWF-9 モット絶縁体NiOの電気二重層トランジスタ(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21pRJ-4 ルブレン電気二重層ゲートFETの4端子測定(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pRC-15 ルブレン単結晶の電気化学トランジスタによるキャリア数制御(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電気二重層トランジスタを用いた電界効果超伝導
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTB-2 電界による酸化亜鉛への高濃度キヤリア蓄積状態の第一原理計算(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-2 電界による酸化亜鉛への高濃度キャリア蓄積状態の第一原理計算(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTB-6 金属・半導体分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-6 金属・半導休分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTG-6 有機電界効果トランジスタの負性トランスコンダクタンス(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGP-2 コバルトドープ二酸化チタンのキャリア媒介室温強磁性とその電界制御(21aGP 領域8,領域7合同 界面現象・電界効果,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGP-2 コバルトドープ二酸化チタンのキャリア媒介室温強磁性とその電界制御(21aGP 領域8,領域7合同界面現象・電界効果,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTG-4 イオンゲルを用いた発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTG-4 金属・半導体分離SWNT薄膜の1次元的伝導特性(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-1 有機電界効果トランジスタの発光と伝搬に及ぼす基板表面修飾の影響(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-4 イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-1 電気二重層トランジスタの微視的構造 : イオン液体-金(111)界面構造の電圧依存性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-4 イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-1 電気二重層トランジスタの微視的構造 : イオン液体-金(111)界面構造の電圧依存性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-3 イオンゲルを用いたトランジスタのインピーダンス解析(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))