梅沢 仁 | 産総研
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概要
関連著者
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梅沢 仁
産総研
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川原田 洋
早大理工
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川原田 洋
早大理工学術院
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川原田 洋
早稲田大学理工学術院
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立木 実
物材機構
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立木 実
(独)物質・材料研究機構
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川原田 洋
早稲田大学理工学部
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川原田 洋
早稲田大学・理工学部
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高野 義彦
物材機構
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梅沢 仁
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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坂口 勲
物材機構
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坂口 勲
無機材質研究所
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坂口 勲
物質・材料研究機構物質研究所電子セラミックスグループ
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坂口 勲
(独)物質・材料研究機構 光材料センター光電機能グループ
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坂口 勲
科学技術庁無機材質研究所第4研究グループ
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竹之内 智大
早大理工
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平間 一行
早大理工
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長尾 雅則
物材機構
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羽多野 毅
物材機構
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小林 健作
早稲田理工
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羽多野 毅
物質・材料研究機構:東京理科大理工
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石坂 博明
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
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立木 実
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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石坂 博明
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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入山 慎吾
早大理工
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河野 明大
早大理工
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梅沢 仁
早稲田理工
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岡田 竜介
早大理工
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梅澤 仁
産総研
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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平間 一行
早稲田大学理工学部
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谷内 寛直
早稲田大学理工学部
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高野 義彦
(独)物質・材料研究機構
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川原 田洋
早大理工
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宮本 真吾
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
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谷内 寛直
早稲田大学
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鹿田 真一
産総研
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宋 光燮
早稲田大学理工学部
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山口 尚秀
物材機構
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渡邊 幸志
産総研
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富樫 格
理研XFEL
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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山田 修義
電通大量子・物質工
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山田 修義
電通大量子・物質
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山田 修義
電通大電子物性
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小口 多美夫
広大院先端
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江口 律子
理研:spring-8
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中村 仁
電通大量子・物質工学科
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岡田 耕三
岡山大院自然科学
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高野 義彦
物質材料研
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長尾 雅則
物質材料研
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坂口 勲
物質材料研
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梅澤 仁
早大理工
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Ederer D.
Tulane大
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富樫 格
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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北郷 伸弥
早大理工
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木須 孝幸
理研
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Ederer D.L.
Tulane大
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竹之内 智大
早稲田理工
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川原田 洋
早稲田理工
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辛 埴
物性研
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Zhang C.Q.
CAS
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石坂 香子
物性研
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江口 律子
物性研
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津田 俊輔
物性研
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横谷 尚睦
JASRI
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渡部 俊太郎
物性研
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Zhang C.
CAS
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小林 健作
早大理工
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梅沢 仁
早大理工
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岡田 耕三
岡山大院自然
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Ederer D.
Department Of Physics Tulane University
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佐藤 充也
早稲田大学理工学部
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宮本 真吾
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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有馬 拓也
早稲田大学
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伊藤 公平
慶大理工
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富樫 格
理研
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Zhang Chengqian
Beijing Center For Crystal R&d Chinese Academy Of Science
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中村 仁
電通大量子・物質工
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中村 仁
電通大量子
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早瀬 潤子
慶大理工
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岩佐 義宏
東北大金研
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中村 哲也
JASRI
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知京 豊裕
物材機構
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竹内 晃久
高輝度光科学研究センター SPring-8
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
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Chen C.
CAS
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中村 雄介
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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Chen C.T.
CAS
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栄長 泰明
慶大理工
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栄長 泰明
慶応義塾大理工
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下谷 秀和
東北大金研
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小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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渡邉 恵
早大理工
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岩佐 義宏
東大 工
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藤森 直治
産総研・ダイヤモンド研究センター
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中村 哲也
高輝度光科学研究センター
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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横谷 尚睦
高輝度光科学研究センター
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池永 英司
高輝度光科学研究センター
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小畠 雅明
高輝度光科学研究センター
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淡路 晃弘
高輝度光科学研究センター
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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原田 洋
早稲田理工
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Ederer D
Tulane Univ. Louisiana
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Ederer D.l.
Tulane Univ.
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竹内 晃久
(財)高輝度光科学研究センター
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小畠 雅明
NIMS
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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出川 宗里
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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佐々木 順紀
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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松平 弘樹
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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河野 真宏
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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梅沢 仁
科学技術振興事業団
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石坂 博明
科学技術振興事業団
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宮本 真吾
科学技術振興事業団
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宋 光燮
科学技術振興事業団
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立木 実
科学技術振興事業団
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川原田 洋
科学技術振興事業団
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坂野 時習
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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堺 俊克
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
-
梅澤 仁
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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藤原 直樹
早稲田大学
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大庭 誉士和
早稲田大学
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竹内 晃久
Jasri/spring-8
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藤森 直治
産総研
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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堺 俊克
早稲田大学理工学部 Crest科学技術振興事業団
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藤田 敏之
東北大 金属材料研
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鹿田 真一
産総研・ダイヤセンター
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竹内 晃久
筑波大工
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
藤田 敏之
東北大金研
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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出川 宗里
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
-
坂野 時習
早稲田大学理工学部 Crest科学技術振興事業団
-
佐々木 順紀
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
-
大庭 誉土和
早稲田大学
-
知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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藤森 直治
住友電気工業 伊丹研
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Ederer D.
Tulane Univ.
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竹内 晃久
高輝度光科学研究センター
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富澤 周平
慶大理工
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大橋 康平
慶大理工
-
石川 豊史
東大先端研
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Santori C.
米HP研究所
-
Acosta V.
米HP研究所
-
室 隆桂之
高輝度光科学研究セ
-
五味 朋寛
慶大理工
-
金子 和樹
慶大理工
-
藤澤 康二
慶大理工
-
室 隆桂之
高輝度光科学光科学研究センター
著作論文
- 20pYG-6 軟X線吸収・発光分光によるBドープダイヤモンドの電子状態(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-71 軟X線吸収・発光分光法による超伝導ボロンドープダイヤモンドの電子状態(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-4 ホウ素ドープダイヤモンドのレーザー励起光電子スペクトルにみられる電子格子相互作用(光電子分光,領域5(光物性))
- 24aWA-8 硬x線光電子分光によるボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の電子状態(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-7 超伝導性ボロンドープダイヤモンド薄膜のレーザー励起光電子分光(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-6 B-dopedホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の超伝導特性(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-1 (111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用(バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
- 13aPS-123 CVD 気相成長ダイヤモンドにおける超伝導の発見(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
- SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
- 水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用
- C-10-8 表面チャネル型ダイヤモンドトランジスタの高周波・高出力特性
- 水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ
- C-10-6 ダイヤモンドMISFETの高周波評価
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 22pTB-2 電気二重層トランジスタによる水素終端ダイヤモンドの絶縁体-金属転移(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18aPSB-29 同位体制御CVDダイヤモンド超薄膜中の窒素空孔欠陥の特性評価(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 28aCC-4 Dynamical DecouplingによるダイヤモンドNV中心集合体のデコヒーレンス解析(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))