川原田 洋 | 早稲田大学・理工学部
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概要
関連著者
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川原田 洋
早稲田大学・理工学部
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川原田 洋
早大理工
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川原田 洋
早稲田大学理工学術院
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川原田 洋
早稲田大学理工学部
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川原田 洋
早大理工学術院
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梅沢 仁
産総研
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梅沢 仁
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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平間 一行
早大理工
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平間 一行
早稲田大学理工学部
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立木 実
物材機構
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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立木 実
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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石坂 博明
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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立木 実
(独)物質・材料研究機構
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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石坂 博明
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
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宋 光燮
早稲田大学理工学部
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谷内 寛直
早稲田大学理工学部
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谷内 寛直
早稲田大学
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佐藤 充也
早稲田大学理工学部
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宮本 真吾
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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有馬 拓也
早稲田大学
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荻原 大輔
早稲田大学理工学術院
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大泊 巌
早大理工
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宮本 真吾
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
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大泊 巌
早稲田大学
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角 博文
ソニー(株)半導体(事)イメージセンサ事業部
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中村 雄介
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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竹之内 智大
早大理工
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竹之内 智大
早稲田大学理工学部
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村川 正夫
日本工業大学
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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出川 宗里
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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佐々木 順紀
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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松平 弘樹
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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河野 真宏
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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坂野 時習
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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堺 俊克
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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梅澤 仁
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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藤原 直樹
早稲田大学
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大庭 誉士和
早稲田大学
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竹内 貞雄
日本工業大学
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米本 和也
ソニー株式会社厚木テクノロジーセンター半導体事業本部CCD事業部門CCD事業部
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不破 章雄
早稲田大学 大学院 理工学研究科
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角 博文
ソニー株式会社CPDG半導体事業本部IS事業部
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外園 明
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
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不破 章雄
早大・理工
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川原 田洋
早大理工
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大泊 巌
早稲田大学理工学術院
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
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米本 和也
ソニー株式会社mnc Di部門
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米本 和也
ソニー株式会社pnc.pvc
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堺 俊克
早稲田大学理工学部 Crest科学技術振興事業団
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鍾 国倣
早稲田大学理工学部
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野田 英行
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
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角 博文
ソニー
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角 博文
ソニー株式会社
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角 博文
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニーイメージングデバイスカンパニーイメージセンサ技術部門開発部
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石崎 貴裕
早稲田大学大学院理工学研究科
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岩崎 孝之
早稲田大学理工学部
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大庭 誉志和
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
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津川 和夫
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
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北谷 謙一
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
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森田 和敏
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
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水落 祐二
早稲田大学理工学部
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大友 健志
早稲田大学理工学研究科
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出川 宗里
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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坂野 時習
早稲田大学理工学部 Crest科学技術振興事業団
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不破 章雄
早稲田大学大学院理工学研究科
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不破 章雄
早稲田大学 理工学部 物質開発工学科
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不破 章雄
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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不破 章雄
早稲田大学理工学部材料工学科
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佐々木 順紀
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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大庭 誉土和
早稲田大学
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大泊 巌
Faculty Of Science And Engineering Waseda University
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大泊 巌
早大
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角 博文
ソニー株式会社scnイメージングデバイスカンパニー
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大泊 巌
早大・理工
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末定 剛
早稲田大学理工学部
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大友 健志
早稲田大学大学院理工学研究科
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不破 章雄
早稲田大学 創造理工学研究科
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大泊 巌
早稲田大学・理工学部
著作論文
- 20pYG-2 ダイヤモンドの気相合成 : 半導体から超伝導体へ(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用(バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
- SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
- ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用
- C-10-8 表面チャネル型ダイヤモンドトランジスタの高周波・高出力特性
- 水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ
- C-10-6 ダイヤモンドMISFETの高周波評価
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
- クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
- 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- 電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー
- 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
- CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- ダイヤモンド表面チャネル型FET : その動作機構と応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 表面修飾ダイヤモンドトランジスタによるDNA及びバイオセンシング応用
- β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長(カーボン)
- 界面の構造と欠陥
- 天然ダイヤモンドを上回る高品質ダイヤモンドの合成
- ダイヤモンド電界効果トランジスタの現状と将来
- 4p-Y-6 ダイヤモンドコヒーレント超薄膜の構造制御と物性