簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
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概要
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A 1/3-inch 640 × 480-pixel CMOS image sensor was developed using a simple fixed-pattern-noise-reduction technology with a five-transistor pixel circuit and a low input-voltage I-V converter. In this report, we show the effectiveness of a low input-voltage I-V converter with a current-mirror circuit in improving the amplification ratio and linearity of a pixel circuit. The dependence of the pixel signal characteristics on the parameters of the pixel transistors was also analyzed. In a five-transistor pixel circuit, the threshold voltage of the X-Y addressing transistor affects the amplitude and level of the readout pulse. This report also contains analysis of the mechanism of the X-Y addressing transistor, illustrating the concept behind the selection of the threshold voltage.
- 2002-04-01
著者
-
角 博文
ソニー(株)半導体(事)イメージセンサ事業部
-
川原田 洋
早大理工
-
川原田 洋
早稲田大学理工学部
-
米本 和也
ソニー株式会社厚木テクノロジーセンター半導体事業本部CCD事業部門CCD事業部
-
角 博文
ソニー株式会社CPDG半導体事業本部IS事業部
-
米本 和也
ソニー株式会社mnc Di部門
-
米本 和也
ソニー株式会社pnc.pvc
-
角 博文
ソニー
-
角 博文
ソニー株式会社
-
角 博文
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニーイメージングデバイスカンパニーイメージセンサ技術部門開発部
-
大庭 誉志和
早稲田大学理工学部電子・情報通信学科
-
角 博文
ソニー株式会社scnイメージングデバイスカンパニー
-
川原田 洋
早稲田大学理工学術院
-
川原田 洋
早大理工学術院
-
川原田 洋
早稲田大学・理工学部
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