サブクオーターミクロンルールのデュアルゲートを伴なったCMOSデバイスに対応したCoサリサイドの開発
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概要
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デュアルゲートCMOSに対応したCoサリサイドモジュールプロセスを開発した。高濃度の不純物を含有させることでゲートの空乏化を制御させていたが、この状態でサリサイドを形成させるとゲート上に形成したCoサリサイドもTiサリサイド同様に抵抗上昇する。我々はこのメカニズムを考察し、高濃度の不純物状態でも低抵抗と低空乏化状態を維持できるCoサリサイドモジュールプロセスを開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-22
著者
-
角 博文
ソニー(株)半導体(事)イメージセンサ事業部
-
岡本 裕
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc プロセス開発部
-
末永 淳
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc プロセス開発部
-
末永 淳
ソニー株式会社セミコンダクターカンパニーシステムlsi部門プロセス開発部
-
角 博文
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc Ccdシステム事業部 Ccd商品部
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