65nm世代CMOSプラットホームの多層プロセスの開発について : ハイブリッド多層構造の量産実用化(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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65nm世代のCMOSプラットホームの多層配線として、lov-k(k=2.5)を用いたPAE/SiOC/SiCハイブリッド構造の多層配線技術を用い、試作、評価を行った。十分な密着性強度を得るために低誘電率膜のキュアにEB(電子ビーム)を使用した。EBキュアエ程のトランジスタヘの影響を評価するために、ゲート酸化膜特性を調査し劣化がないことを確認した。また、パッケージ試験を行い問題ないことを確認した。このプロセス技術を使用してロジックおよびメモリを試作し、ハイブリッド構造の多層配線技術が十分量産に使用できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-14
著者
-
松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
吉田 毅
九州大学医学部附属病院放射線科
-
松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
土生 真理子
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
-
臼井 孝公
(株)東芝セミコンダクター社
-
蜂谷 貴世
東芝
-
金村 龍一
ソニー
-
蜂谷 貴世
東芝セミコンダクターカンパニー
-
金村 龍一
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
-
岡本 裕
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc プロセス開発部
-
山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
長島 直樹
ソニー株式会社
-
長島 直樹
ソニー(株)
-
野口 達夫
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
吉田 毅
広島大学先端物質科学研究科
-
吉田 毅
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
本多 健二
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
神田 昌彦
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
石塚 竜嗣
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
森内 真優美
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
松原 義徳
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
橘高 秀吉
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
蜂谷 貴世
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
金村 龍一
ソニー(株)セミコンダクタソリューションネットワークカンパニーセミコンダクタテクノロジー開発部
-
吉田 毅
産業医科大学泌尿器科学教室
-
土生 真理子
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
本多 健二
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
岡本 裕
ソニー(株)セミコンダクタソリューションネットワークカンパニーセミコンダクタテクノロジー開発部
-
神田 昌彦
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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