MSQ膜を用いたCuダマシン配線プロセスにおける積層剥がれ現象(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術)

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概要

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• 0.10μm 世代以降のCuダマシン配線に用いる低誘電率層間絶縁膜として、MSQ(methylsilsesquioxane)膜の開発を進めている。本報告では、ダマシン溝加工後にMSQのパターン側壁に形成される変質層(メチル基が外れた部分)に起因した膜剥がれ現象について報告する。この変質層を弗化アンモニウム系の薬液処理を行って完全に剥離することにより剥離は発生しないこともわかった。従って、MSQ膜を層間絶縁層として用いる場合、形成された変質層を完全に除去するか、あるいは、変質層の形成を抑制するプロセスを開発することが重要である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-11-09

著者

• 柴田 英毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松永 範昭

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 松永 範昭

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 宮島 秀史

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松永 範昭

  東芝

• 佐藤 誠一

  岩手東芝エレクトロニクス(株)

• 下岡 義明

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 東 和幸

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 宮島 秀史

  株式会社東芝 セニコンダクター社プロセス技術推進センター

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社

• 佐藤 誠一

  岩手東芝エレクトニクス株式会社プロセス生産技術部

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