Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-07-12
著者
-
柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
林 裕美
(株)東芝セミコンダクター社
-
津村 一道
(株)東芝セミコンダクター社
-
島田 美代子
(株)東芝セミコンダクター社
-
渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
-
宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
-
臼井 孝公
(株)東芝セミコンダクター社
-
島田 美代子
東芝株式会社
-
林 裕美
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
林 裕美
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
島田 美代子
(株)東芝 半導体研究開発センター
関連論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
- RIEプラズマ耐性の持つ、ポーラスPE-CVD SiOC膜(k
- 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- ポーラス Low-k/Cu 配線におけるダメージ修復技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
- 45nmノード向け高信頼Cuデュアルダマシン配線のためのPVD/ALD/PVD積層バリアメタル構造
- MSQ膜を用いたCuダマシン配線プロセスにおける積層剥がれ現象
- MSQ膜を用いたCuダマシン配線プロセスにおける積層剥がれ現象( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 高性能Cu配線に向けたAlピラー技術
- F_2 (Ar) プラズマ前処理を用いたTiN上への選択Wヴィアプラグ形成
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- 65nm世代CMOSプラットホームの多層プロセスの開発について : ハイブリッド多層構造の量産実用化(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 高性能配線技術 (特集 半導体プロセス技術)
- シリコンULSIにおける多層配線の高密度化,高性能化,高信頼化の手法
- 低誘電率F添加SiO_2膜CVD技術
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 (シリコン材料・デバイス)
- クォーターミクロン世代に向けての多層配線技術の課題と展望
- 21705 LSI中空配線の機械構造設計(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- Low-k層間絶縁膜技術の今後の展望とデバイス適用効果
- 65nm世代以降の Cu/Low-k 多層配線プロセスインテグレーションとCMP技術への要求
- TC-2-2 高性能 SoC 向け多層配線技術の課題と微細実装技術への要求
- 45nm node向け塗布ポーラスlow-k膜の材料設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低誘電率層間絶縁膜形成技術 : LSIの高速化を目指して
- 次世代LSIバックエンドに向けた光配線技術
- CVD Ru/TiN/Ti積層ライナー膜を用いた低抵抗高信頼性Cuコンタクトプラグの形成
- 超微細Cu配線における電気抵抗率上昇の検討
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量
- CMOS混載RF-MEMS可変容量
- 白色LED向け高放熱性ウエーハレベル・チップスケール・パッケー・ジの開発(配線・実装技術と関連材料技術)