林 裕美 | (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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概要
関連著者
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林 裕美
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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(株)東芝セミコンダクター社
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東芝株式会社
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中尾 慎一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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渡邊 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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島田 美代子
(株)東芝 半導体研究開発センター
著作論文
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 (シリコン材料・デバイス)
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)