和田 真 | (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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概要
関連著者
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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(株)東芝セミコンダクタ一社
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渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
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酒井 忠司
(株)東芝 研究開発センター
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株式会社東芝 研究開発センター
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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中尾 慎一
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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林 裕美
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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梶田 明広
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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和田 真
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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斎藤 達朗
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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山崎 雄一
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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片桐 雅之
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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伊東 伴
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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西出 大亮
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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松本 貴士
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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磯林 厚伸
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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鈴木 真理子
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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渡邉 勝仁
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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佐久間 尚志
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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酒井 忠司
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社
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松永 範昭
株式会社東芝セミコンダクター社
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和田 真
株式会社東芝セミコンダクター社
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株式会社東芝セミコンダクター社
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株式会社東芝セミコンダクター社
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山田 雅基
(株)東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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マイクロエレクトロニクス研
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株) 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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山田 雅基
(株) 東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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東 和幸
(株) 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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梶田 明広
(株) 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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柴田 英毅
(株) 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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渡邊 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
著作論文
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 (シリコン材料・デバイス)
- 超微細Cu配線における電気抵抗率上昇の検討
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)
- 招待講演 ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して (集積回路)
- 招待講演 ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して (シリコン材料・デバイス)
- ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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