ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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LSIの高集積化・微細化の進展により、そこに使用される配線幅は10nm台となってきており、細線効果による金属配線材料の抵抗率の急増が大きな問題となっている。一方、グラフェンやカーボンナノチューブ(CNT)に代表されるナノカーボン材料は、その特異な伝導メカニズムから、配線幅や配線長に依存しない一定の抵抗となることが期待され、超微細幅の金属配線や超高アスペクト比のビア金属プラグにおいては、金属材料を代替する可能性がある。超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)では、将来の共通基盤プロセス技術として、グラフェンを用いた微細配線およびCNTを用いた高アスペクトビアのLSI配線への応用研究を進めており、LSIプロセスとの整合性のあるCVD法を用いたグラフェン成長、CNT成長技術を中心に開発状況を紹介する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-26
著者
-
和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
-
酒井 忠司
(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 真理子
株式会社東芝 研究開発センター
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坂田 敦子
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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北村 政幸
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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梶田 明広
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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和田 真
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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斎藤 達朗
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
山崎 雄一
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
片桐 雅之
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
伊東 伴
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
西出 大亮
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
松本 貴士
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
磯林 厚伸
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
鈴木 真理子
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
渡邉 勝仁
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
佐久間 尚志
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
酒井 忠司
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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