ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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ヘテロエピタキシャル成長技術を用いた選択成長法による、方位の揃ったエピタキシヤルダイヤモンドアレイを作製し、電子放出素子などへの応用を目指した基礎特性評価を行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-27
著者
-
安藤 豊
青学大理工
-
澤邊 厚仁
青学大理工
-
酒井 忠司
(株)東芝 研究開発センター
-
澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部
-
澤邊 厚仁
青山学院大
-
酒井 忠司
株式会社東芝 研究開発センター
-
佐久間 尚志
株式会社東芝 研究開発センター
-
安藤 豊
青山学院大学理工学部
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