イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製 : 高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み(<特集>ダイヤモンド成長)
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概要
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イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製と高品質化について,同方法を用いたダイヤモンドの配向性向上と格子欠陥の低減に関する取り組みについて紹介する.また,同方法を用いた大面積ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の作製と,同基板を用いた応用展開に関する将来展望を紹介する.
- 2013-01-00
著者
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安藤 豊
青学大理工
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澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部
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澤邊 厚仁
青山学院大
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児玉 英之
青山学院大学 理工学部
-
安藤 豊
トーメイダイヤ(株)
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鷲山 瞬
青山学院大学 理工学部
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市原 幸雄
青山学院大学 理工学部
-
児玉 英之
青山学院大学:AGDマテリアル(株)
-
桑原 潤史
青山学院大学
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澤邊 厚仁
青山学院大学:AGDマテリアル(株)
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鈴木 一博
トウプラスエンジニアリング(株)
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前田 真太郎
青山学院大学
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鎌野 崇
青山学院大学
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篠崎 元太
青山学院大学
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木村 清貴
青山学院大学
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鷲山 瞬
青山学院大学
-
市原 幸雄
青山学院大学
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児玉 英之
青山学院大学
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