電子線を用いたCVDによって作製したダイヤモンド薄膜の電気的・物理的諸特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 24aZH-13 CVDダイヤモンドを用いた放射線検出器の開発II(24aZH 宇宙物理,宇宙線・宇宙物理領域)
- 27aSF-6 CVDダイヤモンド結晶を用いた検出器の開発(27aSF X線・γ線,宇宙線・宇宙物理領域)
- ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価
- 321 パルスレーザ・アブレーションを用いた硬質表面薄膜の加工
- 19aWF-1 Bドープダイヤモンドの合成と評価(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- IrO_2電極膜上におけるPZTの配向成長
- IrO_2電極膜上におけるPZTの配向成長
- 青山学院大学理工学部 澤邊研究室
- ダイヤモンド薄膜の新しい機能とその可能性 -冷陰極を中心に-
- 電子線及び直流プラズマCVDによるダイヤモンド膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- Ir(001)基板上にエピタキシャル成長したダイヤモンド薄膜の微細構造
- 気相成長ダイヤモンドからの電子放出機構の解明
- 21aPS-126 Bドープダイヤモンド・炭化珪素薄膜の合成・評価(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 17pA04 ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長技術(機能性材料ダイヤモンド,バルク成長シンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 応用物理とものづくり : 応用物理学会と産業界の一層の連携を目指して
- ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- planar Hall効果を利用した高感度磁界検出に関する検討
- IrO 電極膜状におけるPZT の配向成長 (高機能性を有する無機薄膜材料)
- ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発とそのデバイス応用
- 電子線を用いたCVDによって作製したダイヤモンド薄膜の電気的・物理的諸特性
- ダイヤモンドの低圧合成と電気材料への応用
- 気相からのダイヤモンド薄膜の作製とその評価
- プラズマ中蒸着によるLiNbO3薄膜の作製と構造
- 記念式典・講演会
- 薄膜・表面
- 薄膜・表面
- イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製 : 高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み(ダイヤモンド成長)