IrO_2電極膜上におけるPZTの配向成長
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概要
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より結晶性の良い強誘電体膜を得るために、IrO_2電極膜上でPZT膜を配向成長させる条件を検討した。IrおよびIrO_2はRFスパッタリングおよびRF反応性スパッタリング法により、また、PZT膜はゾルゲル法により作製した。まず単結晶のAl_2O_3(0001)基板を用いて、それぞれ格子不整合の小さいPZT(111)/IrO_2(100)/Ir(111)積層がエピタキシャル成長する条件を、反射高速電子線回折およびX線回折による評価から見出した。この成膜条件をもとに、アモルファスのSiO_2においても、PZT(111)/IrO_2(100)/Ir(111)配向膜を作製することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-08
著者
-
澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部
-
澤邊 厚仁
青山学院大
-
石田 純一
室蘭工業大学
-
石田 純一
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
齋藤 智子
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
奥和田 久美
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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