1 V 動作可能な強誘電体メモリ用SBT膜の形成

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概要

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• 強誘電体メモリにおける低電圧動作を実現するためには、キャパシタ特性低下を伴わずに強誘電体膜を薄膜化することが必要である。ゾルゲル法によSBT(SrBi_2Ta_2O_9)膜の成膜過程において、1層厚みと繰り返し積層回数を見直すことにより膜表面が平滑化し、薄膜化した場合にも耐圧 >1 MV/cmを維持することができた。この方法では、膜厚減少に伴う特性低下は見られず、膜厚1000Åで飽和電圧1.0Vが得られた。さらに平滑化により、分極の非対称性も見られなくなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-03-09

著者

• 奥和田 久美

  (株)東芝総合研究所

• 斎藤 真美

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 奥和田 久美

  青山学院大学理工学部電気電子工学科

• 奥和田 久美

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 斎藤 真美

  (株)東芝 セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所

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