ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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ダイヤモンドを電子材料として用いる場合, 下地表面におけるヘテロエピタキシャル成長の実現が, ダイヤモンドの優れた電気特性を生かした素子開発につながる。この数年, ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長に関する研究がさかんに行われている。本論文ではこの現状についてまとめると共に, 筆者らが現在研究を進めているイリジウム薄膜表面におけるヘテロエピタキシャル成長について紹介し, 最後にヘテロエピタキシャル成長に用いる下地材料選択基準について簡単に考察を加える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
著者
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