気相成長ダイヤモンドからの電子放出機構の解明
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概要
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負の電子親和力(NEA)を持つダイヤモンドからの電子放出に関し数多くの報告がなされているものの, その電子放出機構を完全に解明するには至っていない.本稿では,ダイヤモンドからの電子放出を考える上で, 効率よくキャリアを注入するバックコンタクトを形成することが重要であると考え, これまでにホウ素、および窒素添加ダイヤモンドエミッタのバックコンタクトとして用いてきた導電性エポキシに代わり、カーバイドを形成しやすいとされるチタン(Ti)、形成しづらいとされるアルミニウム(Al)をバックコンタクトとして用い,これらの電子放出特性を比較することで、ダイヤモンドからの電子放出機構について検討を行った. (295文字)
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-04
著者
-
澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部
-
澤邊 厚仁
青山学院大
-
小泉 聡
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
小泉 聡
物材機構
-
伊藤 順司
電子技術研究所
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所プロセス基礎研究室
-
小泉 聡
無機材質研究所
-
岡野 健
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
山田 貴壽
産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
-
小泉 聡
物質・材料研究機構物質研究所
-
小泉 聡
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
山田 貴壽
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
山田 貴寿
青山学院大学理工学部
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所
-
岡野 健
国際基督教大学
-
澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
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