ポリシリコンTFT一体型HfC被覆フィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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HfC被覆を施したシリコンフィールドエミッタアレイ(FEA)とそれを制御するポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT)を一体化した「ポリシリ」ンTFT一体型HfC被覆FEA」を提案し、試作した。FEAの作製には従来の熱酸化を用いた先鋭化プjセスを使わずにArイオンミリングを用いることで低温形成することができた。また、FEAの低電圧駆動・長寿命化の目的でHfC被覆を行った。FEAを制御するためのポリシリコンTFTの構造の最適化を行った。櫛形電極構造とLDD(Lightly Doped Drain)構造のTFTを試作し、両者を比較した結果、LDD構造の方がソース・ドレイン耐圧が高く、OFF時のリーク電流も小さく、FEAを制御するには適していることがわかった。このLDD構造のTFTとHfC被覆FEAを一体化したデバイスを作製し、エミッション電流が完全にTFTゲートにより制御できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
著者
-
長尾 昌善
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
伊藤 順司
電子技術研究所
-
田上 尚男
産業技術総合研究所
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
佐長 裕
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
佐長 裕
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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